在选择一个具体电容时，不仅要考虑其自谐振频率，还同样要考虑电容的介质材料工艺。电容产品中最常用的介质材料是btc（barium titanite ceramic）。这种材料有高的介电常数，能允许小体积的电容器有大的电容值。设计和制造工艺的差别，使其自谐振频率范围为1～20 mhz。工作频率超过自谐振频率后，由于介质的损耗因素变成主要因素，使得btc的性能下降，最高使用频率为50 mhz。

　　另一种广泛使用的电介质材料是npo（锶硝石），由于它的介电常数非常小，因此具有更好的高频特性和温度稳定性。与其他易受外界温度和环境变化的电容相比较，npo的电容值在很宽泛的温度环境下基本保持不变。

　　vlsi及高速元件（如cmos、eol、bot逻辑门器件）需要并联去耦电容。元器件的转换速率越陡峭，产生的射频电流频谱就越大。去耦电容的并联放置一股用于过滤高频rf能量并能对电源板噪声产生旁路作用。多个成对电容围绕vlsi四周放置在电源和接地引脚之间。在50 mhz系统下，最典型的高频去耦电容是0，1 pf与0．001 pf并联；在更高的时钟频率下则为0．01 pf与100 pf并联。

　　在pcb上1英寸（1英寸＝2．54厘米）的方格上放置一个1 nf的电容（具有非常高的自激频率），能对信号线和电源板产生的rf电流给予额外的保护，尤其是在高密度分层的pcb上。虽然这些额外的去耦电容的放置位置无法精确计算，但从pcb的模板分析中可见，它们仍然需要继续 提供去耦旁路。根据pcb的谐振结构不同，方格上放置的电容值可以小到从30~40pf下等。

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