- 锗开关二极管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 锗开关二极管属于小功率开关二极管，适用于中速开关电路。其外形如图一所示，主要特性参数见表一。 图一 锗开关二极管外形 表一 锗开关二极管主要特性参数 ...[全文]
- 2CK系列硅开关二极管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2ck系列硅开关二极管恢复时间短，有良好的开关性能，多用于开关逻辑电路以及电调谐频道转换电路。2ck系列硅开关二极管的外形如图一所示，其主要特性参数见表一． 图一 2ck系列硅开关二极...[全文]
- 2CK系列高速硅开关二极管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2ck系列高速硅开关二极管的主要特性参数见表一。 表一 2ck系列高速硅开关二极管主要特性参数 ...[全文]
- 双向触发二极管的结构与特性2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 双向触发二极管由硅npn三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的npn半导体三极管，如图一所示。 双向触发二极管的伏安特性曲线如图二所...[全文]
- 绝缘栅型场效应管（MOS管）2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从sio2上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管...[全文]
- V-MOS场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 1.v-mos场效应管的结构 v-mos场效应管的结构如图所示。它是在n+衬底上的n-外延层上,先后进行p-型区和n+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出v形槽。漏极...[全文]
- 双向触发二极管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 双向触发二极管的外形如图一所示，其主要特性参数见表一． 图一 双向触发二极管外形 表一 双向触发二极管主要特性参数 ...[全文]
- 场效应管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 一、直流参数 1.夹断电压up 在uds为某一固定值的条件下，使id等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压ugs就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。 2...[全文]
- 场效应管微变参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 1.跨导gm 在漏源电压uds一定时，漏极电流id的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，即 跨导是衡量场效应管栅源电压uc，对漏极电流id控制能力的一个参数...[全文]
- 场效应管其他参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- ①极间电容。场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅源电容cgs、栅漏电容cgd和源漏电容cds。cgs和cgd一般为1~3pf，cds约为0.1~1pf ②漏源最大电流idm。 它是...[全文]
- 场效应管的偏置电路2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 为保证场效应管能起到正常的放大作用，和半导体三极管一样，也要预先给它设置合适的静态工作点。为了减少电源的种类，栅极的偏差一般都采用自给偏压的方法来供给。 典型的自给偏压电路 典型的自给...[全文]
- 光敏电阻器2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 光敏电阻器又叫光导管，是常用的光敏器件常见的光敏电阻器是用硫化镐(cds)材料制成的。除使用硫化铺材料制作光敏电阻器外，还有用硫化铝、硫化铅、硫化秘、硒化 隔和硫化钝等材料制成的光敏电阻器。 ...[全文]
- 光敏电阻器的光谱特性2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 使用不同材料制成的光敏电阻器，有着不同的光谱特性。图给出了硫化镉、硫化铊和硫化铅三种光敏电阻器的光谱特性。从图中可以看出，每种光敏电阻器对不同波长的入射光有着不同的灵敏度。 图：光敏电...[全文]
- 变容二极管的结构及特性2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 变容二极管的伏安特性曲线和普通二极管一样，不同的是它工作在反向偏置区，为反偏压二极管，其结电容就是耗尽层的电容，因此可以把耗尽层看做两个导电板之间有介质的平行板电容器。结电容的大小与反向偏压...[全文]
- 光敏电阻器的光电特性2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 光敏电阻器的光电特性 在一定电压作用下，光敏电阻器的光电流扣与照射光通量d的关系称为光电特性。图给出了典型的光敏电阻器的光电特性曲线。从图中可以看出，光电特性具有非线性。 图：光敏...[全文]
- 场效应管基本放大电路2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法，即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。 1.共源极电路 共源极电路除有图所示的接法外，还可采用图所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压ug...[全文]
- 光敏电阻器的种类2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 光敏电阻器的种类很多，按所用半导体材料不同可分为单晶光敏电阻器和多晶光敏电阻器。根据光敏电阻器的光谱特性，又可分为红外光光敏电阻器、可见光光敏电阻器及紫外光光敏电阻器。 可见光光敏电阻...[全文]
- MG型光敏电阻器2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- mg型光敏电阻器是利用硫化镐光电效应制成的，具有灵敏度较高，电性能稳定、体积小以及价格低廉等特点，在直流电路中均可使用。 mg型光敏电阻器所适用的可见光光谱范围为0.4--0.76μm，可...[全文]
- 变容二极管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- ①最高反向工作电压vr:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过的电压允许值。 ②反向击穿电压vb。:在施加反向电压的情况下，使变容二极管击穿的电压。 ③结电容c:它是指在一特定...[全文]
- MG4l、MG42、MG43和MG44型硫化镉光敏电阻器主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表：mg4l、mg42、mg43和mg44型硫化镉光敏电阻器主要特性参数 ...[全文]
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