- 晶闸管直流无触点开关2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 直流无触点开关电路如图所示。如果触发单向晶闸管vs1，使其导通，负载rl上则有电流流过，电容c经r及vs1充电。若要关断vs1时，则可触发vs2使其导通，此时电容c两端的电压经vs2加在vs...[全文]
- 晶闸管交流无触点开关2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 交流无触点开关电路如图所示。单向晶闸管k一g极司的电阻在300ω~500ω之间，如果电路中的开关s闭合，当交流电的正半周到来时，vs1的k-g极田电阻向vs2提供触发电压和电流，并使其导通，...[全文]
- 单向晶闸管交流调压电路2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 单向晶闸管交流调压电路如图a所示。负载rl串接在交流回路中，流过它的电流受控于单向晶闸管vs的导通与截止。交流 电压经整流后加在vs的a-k极间的电压是单向脉动电压uak，如图(1)所示。只...[全文]
- 半导体三极管共发射极电流放大系数β介绍2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 在共发射极电路中，在一定的集电极电压uce下，集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值称为电流放大系数β即 由于β反映了变化量之比，在放大电路中变化量实际上是交流信号，因...[全文]
- 半导体三极管的共基极电流放大系数α介绍2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 在共基极电路中，在一定的集电极与基极电压ucb下，集电极电流的变化量△ic与发射极电流变化量△ie的比值称为电流放大系数α，即 α值一般接近1。α与hfe（β）的关系为: ...[全文]
- 光敏二极管的主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- ①最高反向工作电压vrm:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μa时所能承受的最高反向电压值。 ②暗电流id:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电...[全文]
- 光敏二极管的光谱范围和峰值波长2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 光谱范围和峰值波长:不同材料制作的光敏二极管有着不同的光谱特性，它反映了光敏二极管对不同波长的光反应的灵敏度是不同的。把光敏二极管反应最灵敏的波长，叫做该光敏二极管的峰值波长。图给出了硅和锗...[全文]
- 2DU型硅光敏二极管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2du型硅光敏。二极管的封装形式有两种形式:一种为单端引线、矩形陶瓷外壳封装，光敏面为方形，面积为lmmxl.3mm;另一种为单端引线、圆形陶瓷外壳封装，光敏面为圆形，它们的外形如图所示。 ...[全文]
- 2DU型硅光敏二极管使用环境条件表2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2du型硅光敏二极管主要用于可见光和红外光探测器及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电藕合、编码器、特性识别电路、过程控制电路、激光接收电路等。其使用环境条件见表．表：2du型硅光敏二极管使...[全文]
- 2DU型硅光敏二极管主要特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2du型硅光敏二极管主要用于可见光和红外光探测器及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电藕合、编码器、特性识别电路、过程控制电路、激光接收电路等。主要特性参数见表。 表:2du型硅光敏二极管主...[全文]
- 半导体三极管的频率特性参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 半导体三极管用于交流放大时，电流放大系数与频率有关。当三极管工作频率较低时，hfe值变化不大，但三极管用于高频电路时，电流放大系数将会随着工作频率的升高而不断减小，这时就需要考虑频率特性参数...[全文]
- 2CU型硅光敏二极管主要特性参数表2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2cu型硅光敏二极管大都为全密封外壳封装，顶端有透镜或平板玻璃窗口。2cu型硅光敏二极管主要用于光的接收及光电转换的自动控制仪、触发器、光电糯合、编码器、译码器、特性识别电路、过程控制电路及激...[全文]
- 2CU301型硅光敏二极管主要特性参数表2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 2cu301型四象限硅光敏二极管为全密封金属外壳封装，顶端有玻璃窗口。主要特性参数见表。 表:2cu301型硅光敏二极管主要特性参数 ...[全文]
- 半导体三极管极间的反向电流介绍2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 半导体三极管极间的反向电流指的是集电极一基极间反向电流icbo和集电极一发射极间反向电流iceo。iceo使用得较多，它是指三极管基极开路时，集电极c和发射极e之间的反向电流，又称为穿透电流...[全文]
- 半导体三极管的极限参数介绍2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。 (1)集电极最大允许电流icm 半导体三极管允许通过的最大电流即为icm。当集电极电流i...[全文]
- 半导体三极管基本放大电路间电流放大倍数的比较2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 共发射极电路的输人电流是基极电流ib，输出电流是集电极电流ic，电流放大倍数β＝△ic／△ib，通常β值是较大的。 共基极电路的输人电流是发射极电流ie，输出电流是集电极电流ic，...[全文]
- 半导体三极管基本放大电路间电压放大倍数的比较2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 共发射极电路的输入端实际上是三极管的发射结，由于三极管处于正向电压工作状态，所以它的输入阻抗是很低的，而输出端的集电结是处于反向电压工作状态，它的输出阻抗是很大的。由于共发射极电路的电流放大...[全文]
- 半导体三极管基本放大电路间功率放大倍数的比较2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 利用三极管的放大作用，可以设计出各式各样的放大电路，其中最基本的放大电路就是由单个三极管组成的放大电路，可归纳为三种:共发射极电路、共基极电路以及共集电极电路。 这三种电路都有功率放大...[全文]
- 半导体三极管放大电路的主要特性2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 共发射极电路的电流、电压和功率放大倍数最高，因而是一种使用最广泛的电路;共基极电路的频率特性最好，因而它在高频电路中使用得最多;共集电极电路有着输入阻抗高、输出阻抗低的特点，常用来作阻抗变换器...[全文]
热门点击
- 三极管9015参数、管脚图
- 前苏联电子管型号命名法
- 霍尔开关集成传感器内部结构框电路图
- 光敏三极管光谱 伏安特性
- 如何区分高频三极管和低频三极管
- Mentor工具简介
- TTL各系列集成门电路主要性能指标
- 如何计算半导体三极管基本放大电路电压的放
- 共漏极电路（源极输出器）
- 半导体三极管的极限参数介绍
IC型号推荐
- QS5244TP
- QS5244TQ
- QS5244TSO
- QS5244TSOX
- QS52509APA
- QS52510APA
- QS52510BPA
- QS52805
- QS52805ATQ
- QS52805ATSO
- QS52805BTSO
- QS52805CTSO
- QS52805Q
- QS52805TS0
- QS52805TSO
- QS52806ATQ
- QS52806ATSO
- QS52806TSO
- QS52806ZQATQ
- QS52806ZQTSO
- QS52807ZATSO
- QS52807ZQATQ
- QS52807ZQATSO
- QS52807ZQTQ
- QS532805AQ
- QS532805ASO
- QS532805CQ
- QS532805Q
- QS532806ASO
- QS532807Q
公网安备44030402000607
