变容二极管的伏安特性曲线和普通二极管一样，不同的是它工作在反向偏置区，为反偏压二极管，其结电容就是耗尽层的电容，因此可以把耗尽层看做两个导电板之间有介质的平行板电容器。结电容的大小与反向偏压的大小有关，反向偏压越大，结电容越小;反之，结电容越大。变容二极管的等效电路相当于一个可变电容器与电阻器和电感串联，如图一所示。

　　图一　变容二极管电容的形成及等效电路

　　等效电路中的龟为可变结电容，它可以近似看成为变容二极管的总电容，它包括结电容、外壳电容及其他分布电容;rs，为串联电阻，它包括pn结电阻、引线电阻及接线电阻;ls为引线电感。cj,rs及ls都是反向偏压的函数，其中cj与反向偏压vd的关系正是我们要使用的变容关系，通常可用下式表示:

　　式中：　c0－－零偏压时的pn结电容vd－－反向偏压 v0－－接触电位，硅变容二极管为0.50～0.75v

　　图二为变容二极管pn结电容特性曲线，结电容与反向偏压的这种关系是非线性的。为了克服非线性，在应用时往往要采用校正网络、高偏压及多回路等措施。

　　图二　变容二极管电容特性曲线

　　一般二极管的结电容部很小，由于变容二极管的结构特殊，它的可变结电容很大，可像电容器一样在电路中使用。