- N沟道结型开关场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表列出了一些n沟道结型开关场效应管的主要特性参数。 一些n沟道结型开关场效应管主要特性参数 ...[全文]
- P沟道结型开关场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 表列出了一些p沟道结型场效应管的主要特性参数。 一些p沟道结型开关场效应管主要特性参数 ...[全文]
- IRF系列V-MOS大功率场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- irf系列v-mos大功率场效应管的主要特性参数见表。 irf系列v-mos大功率场效应管主要特性参数 ...[全文]
- VN系列N沟道V-MOS功率场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- vn系列n沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 vn系列n沟道功率场效应管主要特性参数 ...[全文]
- MT系列V-MOS功率场效应管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- mt系列v-mos功率场效应管的主要特性参数见表。 mt系列v-mos功率场效应管主要特性参数 ...[全文]
- 阻抗变换电路2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 图所示的是电唱机与扩音机的配接电路。晶体唱头或压电陶瓷唱头的输出阻抗很高，而一般扩音机的输入阻抗较低，不能直接配接。利用场效应管组成的源极输出器的输入阻抗为1mω，而其输出阻抗仅有十几千欧，...[全文]
- 可变低通滤波器2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 可变低通滤波器主要由r4、c4及vt2组成，如图所示。当输入信号较弱时，由vd1、vd2、c3整流输出的电压很小(c3上的电压极性为上负下正)，vt2导通加深，输入信号中的高频噪声由r4...[全文]
- 场效应管感应试电笔2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 感应试电笔电路如图所示。它利用结型场效应管vt1高输入阻抗对电网火线所产生的电磁场进行感应，然后经vt2放大进而驱动发光二极管发光指示。调节rp1可改变感应灵敏度。用这种感应试电笔可准确...[全文]
- 高阻抗低噪声前置放大器2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 高阻抗低噪声前置放大器电路如图所示。为了提高输入阻抗，栅极偏压采用自举电路，在源极加人电流负反馈。该放大器的输入阻抗为15omω，增益为26db。 高阻抗低噪声前置放大器电路 ...[全文]
- 采用双栅Mos场效应管组成的再生收音机2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 该再生收音饥电路如图所示。输入放大级采用双栅mos场效应管，具有输入阻抗高、噪声低和agc控制范围宽的优点。c1为再生调节电容，以控制正反馈再生强度，提高收音机灵敏度。l、c调谐回路选出...[全文]
- 场效应管简易稳压电源2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 图所示的是采用功率场效应管组成的简易稳压电源电路。稳压二极管vd1及rp1组成一可调恒压源，向vt3提供参考电压，vt2、vt3组成比较放大器，vt1为调整管。该电路的输出电压可在1.5~1...[全文]
- 场效应管逆变电源2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 由功率场效应管组成的逆变电源如图所示。与非门1、2组成50hz多谐振荡器，其互为反相的信号分别驱动功率场效应管vt1、vt2交替工作，经变压器几升压成为220v方波输出，可带动小型日光灯...[全文]
- 整流器件的结构2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 将整流二极管按照不同的整流电路组装在一起并进行封装，便构成了整流器件。常见的整流器件有高压硅堆、单相半桥式整流器、单相桥式整流器及三相桥式整流器等。整流器件最大的优点就是它们可以代替整流电路...[全文]
- 单向晶闸管的基本结构及工作原理2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 晶闸管有许多种类，下面以常用的普通晶闸管为例，介绍其基本结构及工作原理。 单向晶闸管内有三个pn结，它们是由相互交叠的4层p区和n区所构成的，如图(a)所示。晶闸管的三个电极是从p1引...[全文]
- 单向晶闸管的特性及其参数2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 单向晶闸管的伏安特性曲线如图所示。从特性曲线上可以看出它分五个区，即反向击穿区、反向阻断区、正向阻断区、负阻区和正向导通区。大多数情况下，晶闸管的应用电路均工作在正向阻断和正向导通两个区域。...[全文]
- 晶闸管的封装形式2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 晶闸管的封装形式主要有陶瓷封装、塑封、金属壳封装、螺栓式封装及平板式封装。中小电流晶闸管多采用陶瓷封装、塑封及金属外壳封装，它们的外形与半导体三极管相应的封装外形相同。大电流晶闸管多采用螺栓...[全文]
- 硅光电池的结构及工作原理2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器件，其结构如图所示。它实质上是一个大面积的半导体pn结。硅光电池的基体材料为一薄片p型单晶硅，其厚度在0.44mm以栅状电极下，在它的表面上利用...[全文]
- 3CT系列中小电流晶闸管2008/6/3 0:00:00 2008/6/3 0:00:00
- 中小电流晶闸管的主要特性参数见表。 3ct系列中小电流晶闸管主要特性参数 ...[全文]
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