- 等效热路法是根据如前所述的热电模拟关系2017/12/2 16:02:25 2017/12/2 16:02:25
- 等效热路法是根据如前所述的热电模拟关系,将热量传递类比成电能流动,热学的温度差、NAND128W3AOAN6热阻与热功率可分别等效成电位差、电阻和电流,而且电学中的串、并联规律同样...[全文]
- 研究了具有阻塞的流水线机器人制造单元的作业调度2017/11/25 19:34:01 2017/11/25 19:34:01
- 本章参考文献[37~39]研究了具有阻塞的流水线机器人制造单元的作业调度。本章TBPS1R473K475H5Q参考文献卩0]对具有相同的机械手搬运时问特定问题进行研究,并提出了多项式时间的算法。...[全文]
- 研究了具有阻塞的流水线机器人制造单元的作业调度2017/11/25 19:34:00 2017/11/25 19:34:00
- 本章参考文献[37~39]研究了具有阻塞的流水线机器人制造单元的作业调度。本章TBPS1R473K475H5Q参考文献卩0]对具有相同的机械手搬运时问特定问题进行研究,并提出了多项式时间的算法。...[全文]
- 集束型晶圆制造装备的高度复杂性 2017/11/24 21:28:07 2017/11/24 21:28:07
- 半导体生产线上的加工设备主要分为四种,即单片加工、串行批量加工、单卡并AAT3215IJS-2.5-T行批量加工和多卡并行批量加工。半导体厂在使用12h晶圆后,主要采用单片加工方式的集束型装备,...[全文]
- 划片(Wafer saw)2017/11/22 21:16:55 2017/11/22 21:16:55
- 划片(Wafersaw)OB2520M芯片依照单颗大小、需要种类等,要在蓝膜上切割成颗粒状,以便于单个取出分开。划片时需控制移动划片刀的速度及划片刀的转速。不同芯片的厚度及蓝膜的黏...[全文]
- 缺陷、失效和故障2017/11/21 21:41:01 2017/11/21 21:41:01
- 芯片制造或使用上的物理缺陷(defect),会使电路功能形成故障(fault),造成芯片失效(failurc)e测试的冂的就是要找出造成失效的故障,冉由失效分析找出物理缺陷。TC74VHC273...[全文]
- 集成电路可靠性主要包括:2017/11/16 21:05:32 2017/11/16 21:05:32
- 集成电路可靠性主要包括:个部分:设计nT靠性、制程可靠性和产品封装日r靠性。SMBJ24CA集成电路的mT靠性涉及许多领域,如设计、制造、封装和测试。在新技术的丹发巾,每个新的制程...[全文]
- CMP DFM 2017/11/12 17:07:49 2017/11/12 17:07:49
- 在这一节中,提出了SN74HC04PWLE一个基于模型的CMID1)FM模卫。这个模型用来检测铜浅池(∞pperpooling)缺陷和离焦缺陷。这种皋于模型的捡查能够用T筛奋出和周围环境高度敏感...[全文]
- 快速热处理工艺未来发展方向及挑战2017/11/10 22:35:15 2017/11/10 22:35:15
- 从表10,1我们看到,当CMOS的沟道长度降到22nm以下时,相应的PN超浅结的深度也降到F10nm以下。OP200GP虽然搭配先进的掺杂技术,如低能董高束流的大分子或原子团离子注人,以抑制主掺...[全文]
- 毫秒级退火2017/11/10 22:32:18 2017/11/10 22:32:18
- 随着CMOS器件关键尺寸的缩小,我们希望得到的PN结深度越来越浅,同时对OP196GSZ应的薄层电阻要相应的低,以降低源漏极到栅极氧化层的连续电阻。这对退火工艺提出了越来越高的挑战,这是因为我们...[全文]
- 金属离子检测2017/11/10 22:04:55 2017/11/10 22:04:55
- 全反射X荧光光谱(TXRF)常用来检测晶片表面金属组分浓度。由来自灯丝的电子,OB3396轰击钨或钼阳极,产牛单色准直X光束,照射到晶片表面,人射角小于临界角(临界角为1.3mrad),即可产生...[全文]
- 晶背/边缘清洗和膜层去除 2017/11/7 21:34:30 2017/11/7 21:34:30
- (lM()S正面制造过程中,不可避免地带给背面和边缘一些污染,特别是膜层沉积、图案W107DIP-5定义、化学机械抛光(CrMP)步骤。一方面,晶片背面的颗粒在曝光时会导致一些问题,如局部聚焦偏...[全文]
- 金属钴湿法刻蚀2017/11/7 21:30:54 2017/11/7 21:30:54
- 随着CM()S的没计集成度增加,特征尺寸随之缩减,由于M()s源极和漏极的接合深度的减小,W107DIP-5会衍t短通道效应,解决办法是接合深度和金属硅化物厚度跟MOS管同时减小。...[全文]
- 应力近临技术的刻蚀2017/11/5 17:03:24 2017/11/5 17:03:24
- 从90nm技术节点开始,应力引人载流子迁移率增强的各种技术已经逐渐地出现在CMOS制造中。PHE450MB5330JR17T0如前面的章节所述.对于NMOS,SMT已经用来改善电子迁移率。对于P...[全文]
- TCC叫做传输交叉系数2017/10/29 13:52:32 2017/10/29 13:52:32
- TCC叫做传输交叉系数(transmissioncrossc。cfficient),图7.65为其几何示意图。V68ZA10以上算式表达的物理含义是,对于-个部分相干光照明的系统,可以通过将面光...[全文]
- 底部内切(undercut):2017/10/26 21:31:52 2017/10/26 21:31:52
- 底部内切(undercut):与底部站脚相反,内切是由于光刻胶底部的酸性较高,底部的去保护反应比其他地方的高。SC1101CS解决的思路正好同上面的相反。T型顶(t-topping):T型顶是由...[全文]
- 光刻胶的灵敏度越高2017/10/26 21:27:30 2017/10/26 21:27:30
- 光刻胶的灵敏度越高,通常伴随着较短的光酸扩散长度(空间像的保真程度越高,分辨率越高),SC101332CVR400B因为这种光刻胶一般不太依赖曝光后烘焙,因而可能导致一定程度的图形粗糙程度。不过...[全文]
- 框架平板和4根方柱脚2017/10/7 10:07:05 2017/10/7 10:07:05
- 变参数还可以进一步调整。除了WFA460按照旋转Rotate的方式复制,还可以按照沿某个方向平移Dlstance,或沿某一平面镜像Reflect等方式复制,读者可以自行尝试或参考《(Dpera3...[全文]
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