- 确定反馈电路的参数2012/5/29 20:00:52 2012/5/29 20:00:52
- 下面求反馈电路各EL4543IU部分的参数。R2是限流电阻,它的作用是当Trz导通时IC1的12号管脚(输出端)不被GMD直接短路。Tr2导通时流过的是无用电流,所以如果R2值比较小,就会使电路的效...[全文]
- H电桥控制电路的结构2012/5/28 19:53:10 2012/5/28 19:53:10
- 图10.5是DC电动机用的SGA6489Z全桥驱动器(H开关)TA7257P(东芝)的参数表。这个IC是由两根信号控制H电桥,具有制动/正转/逆转/停止4个动作模式。所谓制动是指DC电动机的(+)端...[全文]
- JFET的传输特性2012/5/27 20:01:52 2012/5/27 20:01:52
- 图9.3(a)是2SK330的传输特性。从这个HCT245曲线可以看出,由于N沟JFET所具有的耗尽特性,当栅极对源极的电位为ov时漏极电流能够达到最大值(一IDSS:漏极饱和电流)。这时器件处于完...[全文]
- 采用达林顿晶体管的电矧开关电路2012/5/26 15:02:47 2012/5/26 15:02:47
- 图8.9是一例采用达林顿连TMS320LF2403APAGA接的开关电路,是一个电灯升关电路。由于晶体管是达林顿连接,所以可以用0.5mA的基极电流开关0.9A的负载。在设计大负载电流的电路时,还需...[全文]
- 视频放大器的噪声特性2012/5/26 14:25:25 2012/5/26 14:25:25
- 图7.12是电流反馈型视频放TMS320DM365ZCE27大器的噪声频谱。噪声值从-llOdB到-120dB,这对于增益为6dB的放大电路来说是无可挑剔的。我们来探讨它的噪声源。射极跟随器一般的...[全文]
- OP放大器电路的设计与制作2012/5/17 20:19:16 2012/5/17 20:19:16
- 本章对与IC相媲美的电路的实TLP250现进行实验。作为模拟电路,首先登场的IC必然是OP放大器。您见过其内部的等效电路吗?这是相当复杂的电路。对于放大电路,从共发射极电路开始,晶体管的各种接地电...[全文]
- 视频选择器的应用2012/5/14 19:50:17 2012/5/14 19:50:17
- 该电路不是如图7.7所示的仅有双输入,而是LMV331IDBVR增加变换开关的接点数,可以变换更多的视频信号。如果增加输入变换开关的数目,声音信号也同时进行变换,则可以作为图7.14所示的AV选...[全文]
- 观察对矩形波的响应2012/5/13 18:58:53 2012/5/13 18:58:53
- 照片7.2是表示输入1MHz、1VP-P的矩形波输入信号TL852CDR时的输出波形(输出端开路)。该电路基本上是共基极的一级放大器(因为没有射极跟随器进行电压放大),所以成为这样非常整齐的响应波...[全文]
- 噪声及谐波失真率2012/5/13 18:06:41 2012/5/13 18:06:41
- 将图6.2进行实验的电路FM25W256-GTR输入端与GND短路FM25W256-GTR来测量时,输出端的噪声谱在图6.9中示出。在几千赫兹附近的值为-137~138dB.V(≈0.14~0.13...[全文]
- 声表面波长廷迟线性能设计2012/5/6 15:13:21 2012/5/6 15:13:21
- 声表面波延迟线所能获得MXA2500EL的最长延迟时间受基片尺寸的限制。在任何情况下要获得长度超过25cm的石英、LiNb03或BilzGeozo基片都是很困难的。因此基于单次传输路径的延迟线,其...[全文]
- 电容器的工艺可靠性设计主要考虑的方面2012/5/3 19:18:05 2012/5/3 19:18:05
- 1.压制密度的设计在阳极设计过程中,压制密度的设计至关重要。因为压制密度LP61256GS-12是否合理不仅直接关系到产品漏电流、耐压和寿命等特性,也影响产品等效串联电阻是否适应高频应用的需要和损...[全文]
- 降低寄生双极管的pPNP和pNPN值2012/4/23 19:41:15 2012/4/23 19:41:15
- pPNP×pNPN>l是引起CMOS电路中寄LP3972SQ-A514生晶闸管触发的基本条件。在加工工艺和版图设计中可以采取如下的措施来降低寄生双极管的pPNP和pNPN:①N阱或P阱要保证...[全文]
- ESDR失效模拟2012/4/22 17:12:28 2012/4/22 17:12:28
- 已经提出了基于热或电一热的分析模型FS992-DMM4来描述电路的ESD失效现象。热模型假定ESD失效与临界温度有关,其电参数与温度无关,而温度与在应力下传到器件的功耗有关。对于局部平行六面体热源的...[全文]
- NMOS ESD器件2012/4/22 16:35:29 2012/4/22 16:35:29
- 图2.26给出了栅接地NMOS(ggNMOS)ESD保护结构。图中漏UC3843端连接到IlOPAD,而栅接地。当在I/O端出现正ESD脉冲时,漏/P阱结处于反偏,直到发生击穿为止。所产生的...[全文]
- 集成电路可靠性设计的主要内容2012/4/21 19:44:21 2012/4/21 19:44:21
- 集成电路可靠性设计的重点CL2263是进行芯片的可靠性设计。芯片可靠性设计的主要内容有:①对电路进行容差分析和优化设计,提高芯片温度特性和一致性,保证新品在使用要求的工作范围内均能可靠地工作。②在...[全文]
- 集成电路(IC)2012/4/16 20:06:26 2012/4/16 20:06:26
- 集成电路(IntegratedCircuit)是一种微型SN74AHCT1G08DCKR电子器件或部件,是将组成电路的有源元件(晶体管、二极管)、无源元件(电阻、电容等)及其互连布线,通过半导体工...[全文]
- 硬件设计2012/4/13 20:00:41 2012/4/13 20:00:41
- 多媒体视频传感器节点不同于普通的AT93C56A-10SU-2.7传感器节点,它需要采集的是视频数据,视频数据具有实时性要求高,数据量大,速率高等特点,采集完成后必须加以压缩编码才能传输。传统的传感...[全文]
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