ESDR失效模拟
发布时间:2012/4/22 17:12:28 访问次数:4727
已经提出了基于热或电一热的分析模型FS992-DMM4来描述电路的ESD失效现象。热模型假定ESD失效与临界温度有关，其电参数与温度无关，而温度与在应力下传到器件的功耗有关。对于局部平行六面体热源的热方程求解，可以得出功耗一失效(Pf)与时间一失效(tf)的表达式，如图2.43所示。失效的标准与器件的二次击穿有关，以前述图2. 24中的IT2作为指针。尽管存在关于精确的热失效标准的争论，在实际的ESD模拟和设计中，IT2提供了合理的ESD失效指示。在集成电路ESD失效机理，尤其是潜在ESD失效方面的研究正在进行深入的研究。
已经提出了基于热或电一热的分析模型FS992-DMM4来描述电路的ESD失效现象。热模型假定ESD失效与临界温度有关，其电参数与温度无关，而温度与在应力下传到器件的功耗有关。对于局部平行六面体热源的热方程求解，可以得出功耗一失效(Pf)与时间一失效(tf)的表达式，如图2.43所示。失效的标准与器件的二次击穿有关，以前述图2. 24中的IT2作为指针。尽管存在关于精确的热失效标准的争论，在实际的ESD模拟和设计中，IT2提供了合理的ESD失效指示。在集成电路ESD失效机理，尤其是潜在ESD失效方面的研究正在进行深入的研究。
相关技术资料- 4-22ESDR失效模拟
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