- 一个电阻性负载的整流电流2016/11/24 20:35:54 2016/11/24 20:35:54
- 一个电阻性负载的整流电流的d・/d莎值,在z0Ⅴ、50Ⅱz电源情况下为0.13Ⅴ/灬,在1⒛Ⅴ、ωHz电源的情况下为O.“3Ⅴ/灬。对电感性负载来说,关断时间和整流d仍/d莎值是难...[全文]
- 测试电路2016/11/23 20:36:55 2016/11/23 20:36:55
- 利用整流二极管能够迅速判定双向晶闸管究竟沿哪个方向击穿短路。S3C2412XL-26测试电路如图3-9所示。ⅤD1、ⅤD2是两只极性相反的硅整流二极管。假定100w在交流电的正半周,σa>...[全文]
- 白炽灯上有交流电流通过而正常发光2016/11/23 20:33:25 2016/11/23 20:33:25
- 第二步,闭合S,因为门极上有触发信号,所以只需经过几微秒的时间,双向晶闸管即导通,S30SC3白炽灯上有交流电流通过而正常发光。具体工作过程分析如下:在交流电的正半周,设σa>...[全文]
- 电容的主要特性参数2016/11/20 15:48:12 2016/11/20 15:48:12
- (1)容量与误差。MAX1236EUA误差是指电容的实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围,精密电容的允许误差较小,而电解电容的误差较大。常用电容的精度等级和电阻的表示方法相同,用字母表示:D...[全文]
- 要求触发脉冲产生的整流脉冲的相位2016/11/20 15:05:52 2016/11/20 15:05:52
- 移相。为了使整流电路电压可以满足“限流”、“限压”、“过流”、“过压”等信号需要,MAX110BCWE要求触发脉冲产生的整流脉冲的相位能在0°~150°范围内进行改变。整流触发电路包括三相同步、...[全文]
- 中频电源的逆变器主要有并联逆变器和串联逆变器2016/11/19 19:32:06 2016/11/19 19:32:06
- 中频电源的逆变器主要有并联逆变器和串联逆变器,串联逆变器输出可等效为一低阻抗的电压源,MAX4073FAXK+T当两电压源并联时,相互间的幅值、相位和频率不同或波动时将导致很大的环流,以至逆变器...[全文]
- OLED的照明应用 2016/11/17 21:57:52 2016/11/17 21:57:52
- href="http://www.51dzw.com/P3004ND5G-s.html">P3004ND5G然光等特点,而月^本身就是灯具,适合于室内照明。以oLED灯板为光源的灯具,具有较高的...[全文]
- ITO玻璃的洗净及表面处理2016/11/16 21:00:52 2016/11/16 21:00:52
- ITO作为阳极其表面状态直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。如果ITO表面不清洁,其表面自由能变小,E2023NL从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生凝聚、成膜不...[全文]
- 堆叠式和叠层结构2016/11/16 20:49:10 2016/11/16 20:49:10
- 这是一种顶发射器件发出白光的方法,在结构E2457NL上,红光、绿光、蓝光oLED按顺序堆叠在衬底上(底发射器件的顺序与此相反),如图7-S所示。利用这种结构通过调节施加于每个二极管的电流,可对...[全文]
- 漏极钳位保护电路2016/11/11 22:03:25 2016/11/11 22:03:25
- 对于反激式AC/DCLED驱动电源而言,每当功RDA5807NP率MOSFET由导通变成截止时,在一次绕组上会产生尖峰电压和感应电压。其中的尖峰电压是由于高频变压器存在漏感形成的,它与直流高压I...[全文]
- 现在的sMD单个发光效率能达到1301Im/W2016/11/9 21:37:35 2016/11/9 21:37:35
- 随着芯片发光率的大幅度提高,现在的sMD单个发光效率能达到1301Im/W,而对于CoB来说,现在也只能达到M3380NL的水平,这主要是由于COB是以平面的为主,M3380NL在...[全文]
- 功率型LED封装 2016/11/8 21:49:06 2016/11/8 21:49:06
- 功率型封装LED是未来半导体照明的核心。功率型LED最早始于⒛世纪90年代初HP公司推出的“食人鱼”G4801S封装结构的LED。相比原支架式封装的LED,功率型LED的输入功率提高了几倍,并且...[全文]
- 表贴式封装2016/11/8 21:45:06 2016/11/8 21:45:06
- 表面贴片二极管(SMD)是另一种封装形式的半导体发光器件,为了节省制造成本,G3601DG利用自动化组装技术的表贴式封装,自20世纪80年代开始逐渐被推广和强化。sMDLED一般有两种结构:一种...[全文]
- 树脂2016/11/8 21:10:50 2016/11/8 21:10:50
- 在高分子化合物的分子结构中含有环氧基团的称为环氧树脂。环氧树脂在固化后具有良好的化学性G24101MKG能和物理性能,它对非金属和金属材料的表面都具有良好的黏接强度。因其柔韧性较好,变型收缩率小...[全文]
- 碱土硅氮氧化合物2016/11/7 21:16:10 2016/11/7 21:16:10
- 目前,掺Cc・的纯氮化物荧光体报道不多,掺Eu2+的氮化物基质材料Me2si5N:(M∝Ca,sr,Ba)较多在实际中应用。AD8572AR碱土硅氮氧化合物Mc2Si5N:∶Eu2...[全文]
- 利用光子晶体所特有的禁带效应可以实现对光子的控制2016/11/6 17:52:06 2016/11/6 17:52:06
- 利用光子晶体所特有的禁带效应可以实现对光子的控制。选G2P109LF取合适结构参数的纳米量级图形化衬底可被视为二维光子晶体而具有光子带隙的特征,能够在垂直于芯片表面的方向,使更多的光子出射到芯片...[全文]
- 外延材料的测试分析2016/11/5 19:10:07 2016/11/5 19:10:07
- LED发光用氮化镓基外延片包括LED全结构外延片,和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化镓外延片。JANTX2N2222A氮化镓基外延片首先需要进行外形尺寸、外观的检验,包括:...[全文]
- 平衡冷却法2016/11/4 21:34:56 2016/11/4 21:34:56
- (1)平衡冷却法。当温度达H9TP65A8JDACPR-KGM到rl时,溶液刚好达到饱和,将衬底与溶液接触,即在接触的瞬间两者处于平衡状态,然后以恒定的降温速率进行冷却生长。(2)...[全文]
- 基于键合技术的白光发光二极管2016/11/2 22:20:16 2016/11/2 22:20:16
- 基于键合技术的白光发光二极管:这种方法是由蓝光基色芯片和其他基色芯片键合在一起混光形成白光。LM3409MY一种方法是将分别制备的蓝光基色芯片和红光基色芯片发光面之间蒸镀ITo层,然后经过键合、...[全文]
- 与DH-LED相比,QW-LED更具优势2016/11/1 21:07:52 2016/11/1 21:07:52
- 与DH-LED相比,QW-LED更具优势,主要体现在:(1)势阱厚度更薄,较低注M54583FP入电流密度下即可获得高的载流子浓度,内量子效率更高,光子吸收更小;(2...[全文]
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