在加入铟粒的基片两个面中，其中铟L085S221331粒较大的一面作为集电极，这是由于较大铟粒的面积较大，可以更多地收集从发射极扩散过来的载流子；另一面则为发射极；中间的N型锗片则为基区，基区很薄，仅几微米到几十微米。国产3AX、3AD等型号锗PNP三极管及3BX型NPN三极管均属于此种结构。但是这类管子在制造合金结时，为了防止把基区烧穿，基区厚度不能做得太薄，所以管子的频率特性较差，多在低频电路中使用。

   为了改善晶体管的频率特性和温度特性，并提高长期工作的稳定性，随后又陆续制造出了合金扩散型和台面型晶体管，最后还研制出了性能极为优越的平面型晶体管。

   平面型晶体管的基础材料是N型单晶硅，将N型单晶硅放在水蒸气中加热到1000℃，这时在晶体的表面生成了约l)um厚的氧化硅(S102)薄膜，成为密闭性良好的电绝缘层，以保护晶体免受潮气和污染，防止管子特性发生变化，提高管子的稳定性。

   制造平面型晶体管时的另一项重要步骤是采用了光刻技术，在生长有Si02的硅片表面涂上一层感光胶，经烘干后，放上一块特制的掩膜版，然后进行紫外线曝光。掩膜版是根据哪些部位氧化层需要去掉，哪些部位氧化层需耍保留而制成的。

   经过曝光以后，对应于掩膜版上透光部位的感光胶就会硬化而留在氧化硅上作为保护层，而被遮住未曝光的部位则可用显影液洗去。这时把硅片放入氢氟酸中，就会使没有感光胶保护的S102层被腐蚀掉，露出硅片，称为“窗口”。

   这样，利用光刻技术开出窗口，先通过硼（3价）扩散形成P型层，再通过磷(5价)扩散形成N型层，每次扩散后都应覆盖一层氧化硅膜，涂上一层感光胶，再进行掩膜曝光。

   通过多次氧化、光刻、扩散的巧妙配合，就制作成了平面型晶体管。

   这种管子的整个结构都制作在一个平坦的表面上，平面型晶体管也因此而得名。国产3DG、3DK等型号硅NPN晶体管和3CG、3CK型等型号硅PNP晶体管均属此种结构。