在沟道和栅极间形成了两个PN结。当栅极HAT2204C开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随管子型号的不同而不同，一般为数百欧到数千欧。若按图2 - 69 (a)将漏极接正电源、源极接负电源或接地，就有漏极电流ID流过沟道，且随漏源极间电压UDS的增加而增大，其关系曲线如图2 - 69 (d)所示(Ucs =OV)。

   当栅极接负电压时，如图2 - 69 (b)所示，PN结加上了反向偏压，形成空间电荷区。由于空间电荷区内载流子很少，因而也叫耗尽区（或阻挡层），其性能类似绝缘体。反偏压越大，耗尽区越宽，就向沟道中扩展使沟道变窄，沟道电阻加大，工D减小。ID流经沟道是要产生压降的，这使得沿沟道各点与栅极的偏压不一样。

   在图2 - 69 (b)中，A点电位比B点高，栅极相对于A点的反偏压就会大于B点的反偏压，于是造成图中A点处耗尽区伸人的比B点处要多，形成如图所示耗尽区形状。当负栅压继续增加时，耗尽区就会愈来愈厚，甚至使两边耗尽区在沟道中间相合，如图2 - 69

(c)所示，致使导电沟道合拢，JD完全消失，这种现象称为夹断，这时所加的栅一源极间电压叫夹断电压UP。

   从上述现象可以看到，场效应管的漏、源、棚极分别具有类似电子管的屏、阴、栅极的功能。与普通晶体管不同，它的栅、源极之间是一个反向偏置的PN结，因而输入电阻极大，一般在数百兆欧以上。它的漏极电流由单一载流子形成，例如，N沟道场效应管中为电子，P沟道场效应管中为空穴，电流受到垂直于电流通路的电场大小的控制；对比之下，晶体管则是由一个反偏的集电结和一个正偏的发射结结合而成，载流子有电子也有空穴。因此，场效应管常被叫做单极晶体管，而普通晶体管却被叫做双极晶体管。