光生伏特效应：在光HCF4051BE线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应工作的器件有光电池和光敏晶体管等。

   @势垒效应（结光电效应）：接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，当光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度E。，使价带中的电子跃迁到导带，从而产生电子一空穴对，在阻挡 层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。

   @侧向光电效应：当半导体光电器件受光照不均匀时，由于载沆子浓度存在梯度，将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子一空穴对时，光照部分栽流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，出现载流子浓度梯度，因而载流子要扩散。如果电子的迁移率比空穴的大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射的部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电势。