内光电效应
发布时间:2014/11/8 13:01:38 访问次数:1364
内光电效应受光照的物体的电导率去发生变化,或者产生光生电动势的效应称为内光电效应。HCF4017BE内光电效应又可分为以下两大类。
光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量,从键合状态过渡到自由状态,从而引起材料电阻率的变化,这种效应称为光电导效应。基于这种效应工作的器件有光敏电阻等。
当光照射到光电导体上时,若这介光电导体由本征半导体材料构成,而且光辐射能量又足够强,光电导材料价带上的电子将被激发到导带上去,如图8-2所示,从而使导带的电子和价带的空穴增加,致使光导体的电导率变大。为了实现能级的跃迁,入射光的能量必须不小于光电导材料的禁带宽度E。
也就是说,对于一种光电导材料,总存在一个照射光波长限A。只有波长小于A。,的光照射在光电导体上,才能产生电子能级间的跃迁,从而使光电导体的电导率增加。
内光电效应受光照的物体的电导率去发生变化,或者产生光生电动势的效应称为内光电效应。HCF4017BE内光电效应又可分为以下两大类。
光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量,从键合状态过渡到自由状态,从而引起材料电阻率的变化,这种效应称为光电导效应。基于这种效应工作的器件有光敏电阻等。
当光照射到光电导体上时,若这介光电导体由本征半导体材料构成,而且光辐射能量又足够强,光电导材料价带上的电子将被激发到导带上去,如图8-2所示,从而使导带的电子和价带的空穴增加,致使光导体的电导率变大。为了实现能级的跃迁,入射光的能量必须不小于光电导材料的禁带宽度E。
也就是说,对于一种光电导材料,总存在一个照射光波长限A。只有波长小于A。,的光照射在光电导体上,才能产生电子能级间的跃迁,从而使光电导体的电导率增加。