增强型绝缘栅型场效应管的结构、原理与特性

   MOSFET控制通道的方式和JFET（结型场效应管）不间，UC3843BVD1R2G但组件特性有许多相同之处。这里以N沟道MOSFET（简称NMOS）为例来介绍它的构造与原理。

    N沟道增强型绝缘栅型场效应管结构

   图8-7为一个典型的NMOS结构示意图。栅极由金属一氧化层和半导体依序叠在一起形成类似电容的结构（氧化层当做介电质），故命名为金属一氧化物一半导体场效应管。栅极只要加上足够的正电压，即可在半导体内靠近氧化层的接口上，吸引足够多的导电电子形成沟道，使源极与漏极的N+区导通。故控制栅极的电压，等效上就是控制氧化层内的电场，可以控制源极与漏极之间的导电特性。

    基极有时也会接出一只引脚，使MOSFET变成四只引脚的组件，在大部分的应用中，基极本体会与源极接在一起，使源极一漏极和基极本体间的PN结接面永远是不导通的，如此MOSFET就变成与JFET（结型场效应管）类似的三引脚组件。

   图8-8是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图。N沟道增强型MOS管工作时，栅一源之间加正向电源电压Uas，漏一源之间加正向电源电压UDS.并且源极与衬底连接，衬底是电路中电位最低的点。