88mA负载电流时储能电容的电压电流实测波形
发布时间:2013/7/17 19:52:57 访问次数:1606
可以这样做快速的复核:充电量的多少,等于时间与电流的相乘,也就是,等于以时间为横坐标的电流波形图(译注:比如图5.9)上的电流波形面积。如果电容的充电时间,只有放电时间的1/10,那么,就可以假设他的充电电流为放电电流的10倍(因为电荷量Q-It)。按此,就可粗略计得充电电流为1.2A。可是,我们已看到,前面例子中的充电脉动电流波形不是长方形的,这个脉动波形覆盖的面积要小于高度、宽度相同的长方形面积,因此,粗略估计的结果与计算结果有一些差异。
小结:通过计算得到了出人意料的高值,但这个结果是可信的。
我们有必要检查整流器件和电容,看一看它们的峰值电流规格是否达到要求。事实上,由于如下因素,电路出现的脉动电流峰值要小于计算值。
· 串联电阻。包括二极管的内阻、电容的ESR、接线电阻、变压器绕组电阻(含次级绕组电阻和初级绕组的反射屯阻)。
·变压器铁芯饱和。
由于这些因素的作用,通常情况下,脉动电流峰值一般是DC负载电流的4~6倍。一个实际例子是,由变压器与硅桥式整流器、滤波电容构成的电容输入式整流滤波电路,接一个电阻负载,负载电流为35mADC,负载时的输出电压为108VDC。其脉动电流峰值为,脉动(pk)=160mA,与负载电流的比率是4:6:1。
电子管整流器的内阻比硅整流器高得多,而且,由于其电流规格有限,可能还需要专门串上电阻来提供保护。比率很可能还要小一些。作者使用50MHz的Tektronix TCP202电流探头,检测G234作为整流器件、47 p,F聚丙烯电容作为储能电容的HT整流滤波电路。在示波器上得到的结果如图5.10所示。
这个脉动电流波形中,含有100Hz的谐波;这些谐波在理论上,可到达射频频率的低频段。在示波器上选用FFT模式,可以显示出储能电容脉动电流的频谱,如图5.11所示。
可以这样做快速的复核:充电量的多少,等于时间与电流的相乘,也就是,等于以时间为横坐标的电流波形图(译注:比如图5.9)上的电流波形面积。如果电容的充电时间,只有放电时间的1/10,那么,就可以假设他的充电电流为放电电流的10倍(因为电荷量Q-It)。按此,就可粗略计得充电电流为1.2A。可是,我们已看到,前面例子中的充电脉动电流波形不是长方形的,这个脉动波形覆盖的面积要小于高度、宽度相同的长方形面积,因此,粗略估计的结果与计算结果有一些差异。
小结:通过计算得到了出人意料的高值,但这个结果是可信的。
我们有必要检查整流器件和电容,看一看它们的峰值电流规格是否达到要求。事实上,由于如下因素,电路出现的脉动电流峰值要小于计算值。
· 串联电阻。包括二极管的内阻、电容的ESR、接线电阻、变压器绕组电阻(含次级绕组电阻和初级绕组的反射屯阻)。
·变压器铁芯饱和。
由于这些因素的作用,通常情况下,脉动电流峰值一般是DC负载电流的4~6倍。一个实际例子是,由变压器与硅桥式整流器、滤波电容构成的电容输入式整流滤波电路,接一个电阻负载,负载电流为35mADC,负载时的输出电压为108VDC。其脉动电流峰值为,脉动(pk)=160mA,与负载电流的比率是4:6:1。
电子管整流器的内阻比硅整流器高得多,而且,由于其电流规格有限,可能还需要专门串上电阻来提供保护。比率很可能还要小一些。作者使用50MHz的Tektronix TCP202电流探头,检测G234作为整流器件、47 p,F聚丙烯电容作为储能电容的HT整流滤波电路。在示波器上得到的结果如图5.10所示。
这个脉动电流波形中,含有100Hz的谐波;这些谐波在理论上,可到达射频频率的低频段。在示波器上选用FFT模式,可以显示出储能电容脉动电流的频谱,如图5.11所示。