片式元器件的保管
发布时间:2012/10/6 21:34:14 访问次数:736
(1)耐热性
经过波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通过在(260±5)℃的锡锅中停留lOs的高温试验才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780规范如下：
●焊锡温度：(260±5)℃；
●浸锡时间：(30±5)s；
．浸锡和脱离速度：(25±2.5) mm/s;
．浸锡深度：待检测元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如电阻、电容等，当端电极是Ag或Ag合金等贵金属时，在适当的熔锡温度250℃，浸入lOs不能有浸析现象。现以1PC-SM-782为例，规定此类零件之贵金属端面上应有厚度大于0.00125mm的镍或其他类似金属之阻隔层，以防止焊接过程中的浸析。
在电子产品生产中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人们常为元器件可焊性差带来的各种质量缺陷而感到烦恼。特别在SMT生产中，元器件的价格一般都较高，尤其是QFP之类的器件，远远高于DIP器件，通常人们不愿经常用来做可焊性试验，因此更应做好元器件的存储工作。幸运的是，片式元器件通常总是密封在编带中，lC器件则用真空包装。通常在良好存储环境下（温度小于30 0C，相对湿度低于65%），完整的包装可以保存1年（自制造日期起），对于已拆封的IC来说，应及时用完，对于已经拆封却没有用完的IC，则应存放在密封、干燥的专用柜中。
总之，对元器件的可焊性应有足够的认识，过高的温度、过长的时间、潮湿的环境均会造成元器件引脚的可焊性变差。
经过波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通过在(260±5)℃的锡锅中停留lOs的高温试验才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780规范如下：
●焊锡温度：(260±5)℃；
●浸锡时间：(30±5)s；
．浸锡和脱离速度：(25±2.5) mm/s;
．浸锡深度：待检测元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如电阻、电容等，当端电极是Ag或Ag合金等贵金属时，在适当的熔锡温度250℃，浸入lOs不能有浸析现象。现以1PC-SM-782为例，规定此类零件之贵金属端面上应有厚度大于0.00125mm的镍或其他类似金属之阻隔层，以防止焊接过程中的浸析。
在电子产品生产中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人们常为元器件可焊性差带来的各种质量缺陷而感到烦恼。特别在SMT生产中，元器件的价格一般都较高，尤其是QFP之类的器件，远远高于DIP器件，通常人们不愿经常用来做可焊性试验，因此更应做好元器件的存储工作。幸运的是，片式元器件通常总是密封在编带中，lC器件则用真空包装。通常在良好存储环境下（温度小于30 0C，相对湿度低于65%），完整的包装可以保存1年（自制造日期起），对于已拆封的IC来说，应及时用完，对于已经拆封却没有用完的IC，则应存放在密封、干燥的专用柜中。
总之，对元器件的可焊性应有足够的认识，过高的温度、过长的时间、潮湿的环境均会造成元器件引脚的可焊性变差。
(1)耐热性
经过波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通过在(260±5)℃的锡锅中停留lOs的高温试验才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780规范如下：
●焊锡温度：(260±5)℃；
●浸锡时间：(30±5)s；
．浸锡和脱离速度：(25±2.5) mm/s;
．浸锡深度：待检测元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如电阻、电容等，当端电极是Ag或Ag合金等贵金属时，在适当的熔锡温度250℃，浸入lOs不能有浸析现象。现以1PC-SM-782为例，规定此类零件之贵金属端面上应有厚度大于0.00125mm的镍或其他类似金属之阻隔层，以防止焊接过程中的浸析。
在电子产品生产中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人们常为元器件可焊性差带来的各种质量缺陷而感到烦恼。特别在SMT生产中，元器件的价格一般都较高，尤其是QFP之类的器件，远远高于DIP器件，通常人们不愿经常用来做可焊性试验，因此更应做好元器件的存储工作。幸运的是，片式元器件通常总是密封在编带中，lC器件则用真空包装。通常在良好存储环境下（温度小于30 0C，相对湿度低于65%），完整的包装可以保存1年（自制造日期起），对于已拆封的IC来说，应及时用完，对于已经拆封却没有用完的IC，则应存放在密封、干燥的专用柜中。
总之，对元器件的可焊性应有足够的认识，过高的温度、过长的时间、潮湿的环境均会造成元器件引脚的可焊性变差。
经过波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通过在(260±5)℃的锡锅中停留lOs的高温试验才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780规范如下：
●焊锡温度：(260±5)℃；
●浸锡时间：(30±5)s；
．浸锡和脱离速度：(25±2.5) mm/s;
．浸锡深度：待检测元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如电阻、电容等，当端电极是Ag或Ag合金等贵金属时，在适当的熔锡温度250℃，浸入lOs不能有浸析现象。现以1PC-SM-782为例，规定此类零件之贵金属端面上应有厚度大于0.00125mm的镍或其他类似金属之阻隔层，以防止焊接过程中的浸析。
在电子产品生产中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人们常为元器件可焊性差带来的各种质量缺陷而感到烦恼。特别在SMT生产中，元器件的价格一般都较高，尤其是QFP之类的器件，远远高于DIP器件，通常人们不愿经常用来做可焊性试验，因此更应做好元器件的存储工作。幸运的是，片式元器件通常总是密封在编带中，lC器件则用真空包装。通常在良好存储环境下（温度小于30 0C，相对湿度低于65%），完整的包装可以保存1年（自制造日期起），对于已拆封的IC来说，应及时用完，对于已经拆封却没有用完的IC，则应存放在密封、干燥的专用柜中。
总之，对元器件的可焊性应有足够的认识，过高的温度、过长的时间、潮湿的环境均会造成元器件引脚的可焊性变差。
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