从某种意义上FLI8125-LF 说，片式元器件所承受的温度比通孔元器件所承受的温度还要高，因为通孔元器件本体不会直接浸在锡锅中，而片式元器件在波峰焊过程中直接浸在锡锅中。片式元器件多数在结构上采取多层式结构，如多层片式电容(MLCC)、电感、磁珠等。在多层式结构中，层与层之间的热膨胀系数( CTE)不同，以MLCC为例，它在受到高温冲击时，由于层与层之间的CTE差异，会出现开裂等缺陷。
    此外，MLCC与PCB的CTE也存在着差异，更会加剧热冲击的发生。通常MLCC的CTE为6×l0-6/oC，PCB的为16×10-6/℃，则ACTE为10×10-6/℃，其温度从室温25℃上升到焊接温度255 0C，则ACTE=2200×10-6/℃。若考虑到PCB在焊接温度下，焊接温度已远远高于PCB的玻璃化转变温度，PCB的CTE数值还要增大。因此，CTE的不同会在焊接部位产
生很大的应力，如图5. 31和图5.32所示。
    热应力的存在会造成多层陶瓷介质内部产生分离或微裂纹，使基层断路。同样的道理，对于其他片式元器件如SOIC，由于是塑料封装，引脚通常是52号合金，两者之间的TCE也存在着较大的差异，因此塑料封装本体与金属的配合息存在差异。在波峰焊过程中，微观上讲会存在微裂纹，再加上助焊剂的渗透，常会产生腐蚀问题，因此对SMC/SMD的抗热性，其重视程度应远远高于通孔元器件，并且通常需要有特别的规定，现以1PC-SM-782(Interim Final Oct，1986)为例进行介绍。