提高晶体管开关速度的另一个方法是88E6218-LG01利用肖特基二极管箍位。这种方法是74LS、74ALS、74AS等典型的数字lC TTL的内部电路中所采用的技术。
    图8.14是对图8.5的电路进行肖特基箍位的电路。所谓肖特基箍位在基极一集电极之间接入肖特基二极管。这种二极管不是PN结，而是由金属与半导体接触形成具有整流作用的二极管，其特点是开关速度快，正向电压降VF比硅PN结小，准确地说叫做肖特基势垒二极管。这里的肖特基二极管采用1SS286（日立）。
    照片8.7是给图8.14的电路输入lOOkHz、OV/+5V方波时的输入输出波形，可以看出其效果与接入加速电容（参见照片8.6）时相同，晶体管从导通状态变化到截止状态时没有看到时间滞后。
    图8.15是图8.14的电路中晶体管处于导通状态(输出为OV)时的动作。如图8.16所示，肖特基二极管的正向电压降VF比晶体管的VBE小(图8.14电路中的VF≈0. 3V)，所以本来应该流过晶体管的大部分基极电流现在通过Di被旁路掉了。这时流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。
    因此，如照片8.7所示从导通状态变化到截止状态时的时间滞后非常小（基极电流小，所以电荷存储效应的影响小）。照片8.7中，输出波形由OV变化到+5V时之所以波形上升沿不很陡，是由于Ri与晶体管密勒效应构成低通滤波器的影响，与电荷存储效应没有关系。