150MHz调谐放大电路
发布时间:2012/5/21 20:23:47 访问次数:1741
图3.34是选择150MHz附近的信号进CC2500RTKR行放大的调谐放大电路。在150MHz得到20dB的增益。可以应用于无线对讲机或者FM接收机的RF频段。
这个电路是将源极接地放大电路的栅极偏置电路和漏极电阻置换为LC并联共振电路(调谐电路)。
并联共振电路是一种在振荡频率fo点从外部看到的阻抗是无限大,在其他频率处阻抗变小的电路。因此,如图3. 35所示,电路的增益与并联共振电路的阻抗曲线形状完全相同,仅仅对振荡频率fo附近的信号进行选择性放大。
图3.34的电路中,Li=L2=70nH,所以当C1=C2≈16pF时在150MHz谐振。实际的电路中,由于栅极的输入电容以及布线电容等,所以用15pF的微调电容器就能够在150MHz谐振。
在线圈上设置抽头是为了设定输入输出阻抗为50fl,进行阻抗匹配。
这个电路是将高频放大用N沟MOSFET 2SK241的源极直接接地。而且从直流角度看栅极是用Li接地的,所以工作在VGS =O状态。就是说与图3.33的电路相同,都是在零偏置状态下工作的。
但是2SK241是耗尽型MOSFET,所以对输入信号的振幅没有限制。
由于是在VrGS一O状态下,所以这时的漏极电流就是IDSS。2SK241的Y档Irss一3.0~7.OmA,所以漏极电流分散在3.0~7.OmA昀范围之内。
由于是源极直接接地,所以电路的增益为g。×RD。这个电路中,RD是谐振电路的阻抗。
并联共振电路的阻抗在共振频率处为无穷大,所以理论上增益也是无穷大,不过实际电路的增益约为20dB。其原因是FET的源极内部等效电阻不等于零,而且谐振电路的阻抗也并不是无穷大。但是,电路的增益与所使用FET的g。(也有作为正向传输导纳数据提供)成比例。
制作这个电路时,为了从谐振电路获得足够的增益,器件的选择是十分重要的。谐振电路中使用的线圈应该在谐振频率下具有足够高的Q值(Q值是表征线圈质量优劣的参数,如果串联电阻为r,则Q=cvLlr)。图3.34的电路中,使用的是用声一0.8的粗镀锡线绕成的线圈。
为了使频率特性向高频方向延伸,电路的布线方法是非常重要的。如照片3.8所示,各部分的布线都应该粗而短(特别应该注意电源的连接线),尽量降低GND的阻抗。
图3.34是选择150MHz附近的信号进CC2500RTKR行放大的调谐放大电路。在150MHz得到20dB的增益。可以应用于无线对讲机或者FM接收机的RF频段。
这个电路是将源极接地放大电路的栅极偏置电路和漏极电阻置换为LC并联共振电路(调谐电路)。
并联共振电路是一种在振荡频率fo点从外部看到的阻抗是无限大,在其他频率处阻抗变小的电路。因此,如图3. 35所示,电路的增益与并联共振电路的阻抗曲线形状完全相同,仅仅对振荡频率fo附近的信号进行选择性放大。
图3.34的电路中,Li=L2=70nH,所以当C1=C2≈16pF时在150MHz谐振。实际的电路中,由于栅极的输入电容以及布线电容等,所以用15pF的微调电容器就能够在150MHz谐振。
在线圈上设置抽头是为了设定输入输出阻抗为50fl,进行阻抗匹配。
这个电路是将高频放大用N沟MOSFET 2SK241的源极直接接地。而且从直流角度看栅极是用Li接地的,所以工作在VGS =O状态。就是说与图3.33的电路相同,都是在零偏置状态下工作的。
但是2SK241是耗尽型MOSFET,所以对输入信号的振幅没有限制。
由于是在VrGS一O状态下,所以这时的漏极电流就是IDSS。2SK241的Y档Irss一3.0~7.OmA,所以漏极电流分散在3.0~7.OmA昀范围之内。
由于是源极直接接地,所以电路的增益为g。×RD。这个电路中,RD是谐振电路的阻抗。
并联共振电路的阻抗在共振频率处为无穷大,所以理论上增益也是无穷大,不过实际电路的增益约为20dB。其原因是FET的源极内部等效电阻不等于零,而且谐振电路的阻抗也并不是无穷大。但是,电路的增益与所使用FET的g。(也有作为正向传输导纳数据提供)成比例。
制作这个电路时,为了从谐振电路获得足够的增益,器件的选择是十分重要的。谐振电路中使用的线圈应该在谐振频率下具有足够高的Q值(Q值是表征线圈质量优劣的参数,如果串联电阻为r,则Q=cvLlr)。图3.34的电路中,使用的是用声一0.8的粗镀锡线绕成的线圈。
为了使频率特性向高频方向延伸,电路的布线方法是非常重要的。如照片3.8所示,各部分的布线都应该粗而短(特别应该注意电源的连接线),尽量降低GND的阻抗。
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