干氧中加入少量HC1，HC1与Oz克分子比(6～8)%为佳，因为：
    ①高温下Clz与Na+反应可LMC555CM生成挥发性化合物随尾氧排出。
    ②在Si-Si02界面处，Cl易集中，Cl与S102中固定电荷可形成Si-O-Cl络合物，Na+会被络合物中的Cl中性化。
    ③试验：标准Si02时AVFB≈6.4V;6%HC1、Sioz时△VFB≈O. 2V。
    Al203钝化
    Al2 03钝化对Na+有阻挡作用、可辐射性强，主要体现在：
    ①负电荷效应。Al2 03-Si02界面偶极子电位差△VD，它可使平带电压为正值，故易于制作增强型NMOSFET。
    ②生长Al2 03工艺。溅射法(RF、DC)、阳极氧化（电介、等离子体）、辉光放电、CVD(水介法、热分解法、有机铝化合物氧化法)。

    氮化硅(S13 N4)钝化
    氮化硅(Si3 N4)钝化的好处有：
    ①对Na+有阻挡作用，抗辐射能力强。
    ②优化结构：Si-S102 -S13 N4、S102：(100 N1000)A、Si3 N4：(1500～3000)A、>3000A:龟裂。
    ③Si- Si3 N4界面陷阱密度高，故要用优化结构
    ④Si。N4难腐蚀，故通常用S102保护，在热磷酸中腐蚀
    S13 N4沉积技术
    Si3 N4沉积技术的方法：
    ①直接氮化：3S1+2Nz，3S1+4NH3
    ②热分解或CVD:SiCl4+NH3，S1F4 +NH3
    ③溅射：RF：3S1+N2（反应溅射），S13 N4（非反应溅射）；DC:同上
    ④辉光放电：RF，DC，S1H4+NH3，SiH4 +N2
    ⑤蒸发试验。采用下列方法进行蒸发试验能取得较好效果：
    ·用Si3 N4钝化二极管，其失效率降低8倍。
    ·用Si3 N4钝化ECL电路，现场失效率可降到3×10-8／}1以下（比S102低5倍）。
    ·用Si3 N4钝化COMSIC，在85℃，相对湿度85%，2000h，25支IC无一失效。