异质结晶体管
发布时间:2012/4/26 19:32:03 访问次数:1154
上述双极晶体管和场效应晶体管都ATF16V8B-15PU是由一种半导体材料作为有源区以实现其载流子的输运功能，均属于同质结器件。由不同半导体材料制成的为异质结器件，如异质结双极晶体管( HBT)、异质结场效应晶体管(HEMT、HFET或MODFET)。异质结器件其结两边的导电类型由各自的掺杂来控制。掺杂类型相同的称为“同型异质结”；掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于在GaAs、InP等化合物半导体材料加工中尚未找到类似S102那样理想的掩蔽材料，因而限制了扩散工艺的应用。目前制作异质结器件的方法主要是外延工艺，如液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)。也可采用离子注入工艺，一方面是由于工艺温度低，较易选择掩蔽物，可以精确地控制掺杂量和掺杂剖面，横向效应小。但高能离子的注入会使晶格受到损伤，需要增加退火工艺予以恢复。
上述双极晶体管和场效应晶体管都ATF16V8B-15PU是由一种半导体材料作为有源区以实现其载流子的输运功能，均属于同质结器件。由不同半导体材料制成的为异质结器件，如异质结双极晶体管( HBT)、异质结场效应晶体管(HEMT、HFET或MODFET)。异质结器件其结两边的导电类型由各自的掺杂来控制。掺杂类型相同的称为“同型异质结”；掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于在GaAs、InP等化合物半导体材料加工中尚未找到类似S102那样理想的掩蔽材料，因而限制了扩散工艺的应用。目前制作异质结器件的方法主要是外延工艺，如液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)。也可采用离子注入工艺，一方面是由于工艺温度低，较易选择掩蔽物，可以精确地控制掺杂量和掺杂剖面，横向效应小。但高能离子的注入会使晶格受到损伤，需要增加退火工艺予以恢复。
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