将改进的汉明码应用到单位EAM5045AV误差检测和矫正(single-bit error detection andcorrection，SEDC)，256Kb EEPROM可以在全温范围内满足105次的耐久性和10午的保持特性。图2. 66给出了基于隧道氧化层介质中随机缺陷假设下，SEDC技术所带来的耐久性的提高。例如，为了达到百分之一的失效率，在没有误差矫正的情况下，要求在256Kb阵列的缺陷数为0.01，但果采用误差矫正设计后，要求阵列中的缺陷数就可以放松到15个，就是说，提高了3个数量级。

                      
    汉明码的选择应综合考虑速度和减少芯片面积。奇偶由5输入的异或门产生。每一位校验位是一个校验位和5数据灵敏输出的异或。奇偶位产生器和校验位产生器分享同一个异或电路。一个多路选择器根据读／写态，将适当的输入转换到异或门的输入。在典型的状态下，SEDC电路增加了7ns的存取时间，仅占据23%的芯片面积。