电路的可靠性模拟器应该包括MFI341S2500许多模型，以模拟主要的失效机理。已报道的可靠性模拟器都含有热载流子效应模型。HOTRON是用于模拟热载流子效应的可靠性模拟器，由研究电迁移机械应力和其他可靠性现象而著名的得克萨斯仪器公司开发出来。南加利福尼亚大学正在完善RELY，其目的是为了模拟热载流子效应、二氯化硅的可靠性和电迁移。加利福尼亚大学的伯克利分校已开发出BERTⅢ，它含有热电子效应模型、二氧化硅可靠性模型、电迁移以及双极晶体管增益退化模型。伊利诺斯大学也正在研究热电子效应模拟器，其重点是器件的失效分析模型。伊利诺斯大学和得克萨斯仪器公司已开发了CREST，估算在许多输入波形情况下的电流波形，以便快速估算电迁移的可靠性。用于分析和研究超大规模集成电路互连的可靠性模拟工具也已开发出来，提出了CMOS逻辑电路的热载流子可靠性准则，并给出了快速估计电路寿命的技术。

               
    BERT包括四种可靠性模型：电路老化模拟CAS(用于模拟热电子效应的可靠性)，电路中二氧化硅可靠性模拟器CORS，电迁移CEM和双极晶体管退化。这四种模型可以单独使用，也可以一起使用。预计在不久的将来，还将引入其他模型。BERT的结如图2.47所示，通过预先和后处理模式外连到SPICE上，以形成独立的模拟器。BERT可以和SPICE2或SPICE3接口，使用1，2，3级或BSIMMOSFET模型或双极晶体管模型。对于热载流子效应，首先对某个新电路进行模拟，以确定在任意用户给定的电源电压下工作一段时间后所有晶体管的端电压波形，后处理器计算瞬态衬底电流和给定任意用户指定应力时间后每一器件的“老化”结果，根据“老化”结果，模拟器插入受应力晶体管的用户定义工艺（模型参数）文件，最后，“老化”过的电路再用SPICE模拟一次。BERT的另一个模块是CORS，预测电路失效的可靠性与工作时间、温度、电源电压的关系，CORS使用SPICE得到的节点电压和用户给出的二氧化硅缺陷来计算出失效的概率，筛选对二氧化硅稳定性的影响也能够得到模拟。