数据保持能力是衡量eNVM性能的重要指标，目前，对于验证NVM数据保持能力的方法，国内外已经有不少相关的研究或标准，如JEDEC固态技术协会制定的JESD22-A117C和JESD47H， 中国电子技术标准化研究院牵头制定的GB/T 35003—2018,但大多数主要集中在相变存储器、Flash存储器等的数据保持能力，而对MTP存储器的数据保持能力却鲜有研究。

MTP存储器的数据保持能力不仅要求在高温条件下能够保持数据不丢失，而且要能够保持很长的时间，因而不仅要研究MTP存储器的可靠性，还要能够计算出MTP存储器的数据保持时间，这对合理拓宽MTP存储器温度应用范围及使用寿命有重要的现实意义。

光刻胶(Photo Resist)均匀铺在晶圆表面，在这个过程中需要保持晶圆旋转，这样可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。然后光刻胶层透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶。

掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成电路的每一层图案。一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。

溶解光刻胶,曝光在紫外线下的光刻胶被化学试剂溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。

使用QBL4208-41-04-025，这款电机也是来自TRINAMIC Motion Control,这是一款24 V、4000 RPM BLDC电机，可提供略高于 0.25 Nm的扭矩。TRINAMIC Motion Control的QBL4208-41-04-025是一款24V、4000 RPM BLDC电机，最高速度下可提供略高于0.25 Nm的扭矩。