p2098金属一氧化物一半导体(MOs)场效应管,5.1.1 图题5.1.1所示为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如是增强型,说明它的开启电压u/T=j,如是耗尽型,说明它的夹断电压k=l(图中jD的假定正向为流进漏极).

5.1.2 一个MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示(其中漏极电流JD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管是耗尽型还是增强型?(2)是N沟道还是P沟道FET?(3)从这个转移特性上可求出该FET具有夹断电压yP还是开启电压h?其值等于多少?

5.1.3 已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP=0.2n1人/Ⅴ2,u=0.5V,jD=-0.5 mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压抄Gs和漏源电压矽Ds等于多少?

设N沟道增强型MOsFET的参数为%=1Ⅴ,W=100 um,L=5 um,u=1

5.2.7 电路如图5.2.12a所示,设场效应管的参数为gm1=0.7 ms,入1=入2=0.01V-1。场效应管静态工作时的偏置电流了REF=0.2 mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益j。

5.2.8 电路如图题5.2.8所示,设场效应管的参数为gm1=1 mS,gn2=0.2 mS,且满足1/gm1<rd和1/gm2<r2,试求找Ⅱ=u/rio

5.2.9 已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1 ms,设r>Rd。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益A,;(3)求放大器的输人电阻Ri。

5.3 结型场效应管(JFET)

5.3.1 试从图5.3.5b的输出特性中,作出田Ds=4V时的转移特性。

5.3.2 考虑P沟道FET对电源极性的要求,试画出由这种类型管子组成的共源放大电路。

5.3.3 一个JFET的转移特性曲线如图题5.3.3所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的JFET?(2)它的夹断电压yP和饱和漏极电流JDss各是多少?

5.3.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型FET(包括N沟道、P沟道MOS增强型和耗尽型,JFETP沟道、N沟道耗尽型)的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。

5.3.5 四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a、b,c、d所示,其中漏极电流扌D的假定正向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?

5.3.6 已知电路形式如图题5.3.6a所示,其中管子的输出特性如图题5.3.6b所示,电路参数为Rd=25 kΩ,R=1,5 kΩ,Rg=5 MΩ,%D=15Ⅴ。试用图解法和计算法求静态工作点0。

5.3.7 在图题5.3.7所示FET放大电路中,已知yDD=20V,ycs=-2Ⅴ,管子参数rDss=4 mA,yP=~4Ⅴ。设C1、C2在交流通路中可视为短路,求电阻R1和静态电流.

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