p5135650 cm2/V*s,Cox=76.7×10-9F/cm2。当ycs=2 yT,MOsFET工作在饱和区,试计算此时场效应管的工作电流FD。

5.2 MOsFET放大电路

5.2.1 电路如图5.2.1b所示,设Rg1=90 kΩ,Rg2=60 kΩ,Rd=30 kΩ,yDD=5v,u=1V,Kn=0・1 mA/V2。试计算电路的栅源电压7Gs和漏源电压yDs。

5.2.2 电路如图题5.2.2所不, 设f=R2=100 kΩ, yDD=5v, Rd=7.5 kΩ, yT=-1Ⅴ,KP=0.2 mA/Ⅴ2。试计算图题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流FD和漏源电压yDs。

5.2.3 电路如图5.2.2所不。已知凡=10 kΩ,Rs=R=0.5 kΩ,Rgl=165 kΩ,R￡=35 kΩ,%=0.8Ⅴ,Kn=1 mA/V2,场效应管的输出电阻ru=∞(λ=0),电路静态工作点处yGs=1.5v。试求图5.2.2所示共源极电路的小信号电压增益f=u/f和源电压增益A=%/tis。(提示:先根据Kn、ycs和%求出gm,再求所).

5.2.4 电路如图5.2.3所示。设电流源电流r=o.5 mA、yDD=yss=5V,Rd=9 kΩ,Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的%=0.8Ⅴ,氏1=1 mA/V2,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益u。

5.2.5 电路如图5.2.10a所示。设R=0.75 kΩ,Rgl=足2=240 kΩ,f=4 kΩ。场效应管的gm=11.3 ms,ru=50 kΩ。试求源极跟随器的源电压增益a=po/us、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

5.2.6 电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8 ms,人1=入2=0.01Ⅴ-1。场效应管的静态工作电流JD=0.2 mA。试求该共源放大电路的电压增益。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/