UC3584DW对于带有绝缘筒的拼接管在放置导线时,如图6-249所示,确保从拼接管的观察孔里看到导线的芯线,芯线顶到拼接管止位且不能超过止位;导线的绝缘层插人拼接管的绝缘筒,但不能进入拼接管的压线筒。如果导线绝缘层直径超过拼接管绝缘筒的直径,但在拼接管的绝缘直径之内,导线绝缘层的末端与绝缘筒的最大距离是0.13in,如图6-250所示。

芯线止压线筒，导线绝缘末端芯线末,拼接符绝缘,有绝缘筒的拼接管中导线的位置.

最大0.13in芯线止位观察孔,压线筒导线绝缘未端,拼接管绝缘,有绝缘筒的拼接管中粗导线的位置.

对于没有绝缘筒的拼接管在放置导线时,AWG 10号线及更细的导线和AWG8号线及更粗的导线绝缘层的末端与压线筒的最大距离有所不同,如图6-251所示。

位幻观察孔导线绝缘末端压线简末端,无绝缘筒的拼接管中导线的位置

高振动区域导线修理,高振动区域的导线需要进行永久性修理,修理时选取密封拼接管,如图6-252、图6-253和表6-19所示,这种施工方法也适用于经常接触到水的增压区域损伤导线的修理,由于拼接管的材料和热缩套管的温度等级限制,不适用于高温区域损伤导线修理。

导线封严环三根导线的,繁体封严环热缩会管,对接拼接管热缩套管,对接拼接管和更细的导线最大0.1 3in,AWG8和史粗的导线最大0.25in,Q颜色带侧的导线封严环,颜色带二根导线黄色带封严环,黄颜色带连接一根导线的密封拼接管器材包,连接三根导线的密封拼接管器材包.

DRAM操作定时图,(a)读、写操作 (b)页模式读操作(0E=0) (c)RAs只刷新操作(CAs=7E=1)Cms先于R/4S有效的刷新操作,执行该操作时,CAs首先变为低电平,然后RAS变为低电平。此时,DRAM内部的刷新控制及定时电路,控制刷新计数器连续生成刷新地址进行刷新操作。

一般的DRAM每行刷新的间隔时间为15.6 us(目前也有7.8 us的),典型的刷新操作时间小于100 ns。刷新时间只占刷新周期的0.64%,所以DRAM用于读写操作的时间实际上超过99%。

与SRAM的发展类似,DRAM也有同步DRAM(SDRAM)、双倍数据传输率DRAM(DDR SDRAM)和四倍数据传输率DRAM(QDR SDRAM)。

由于DRAM的存储单元结构简单,其集成度远高于SRAM,最大容量已达1 Gbit,时钟最高工作频率达250 MHz。所以同等容量情况下,DRAM更廉价。

目前,DDR SDRAM已成为个人电脑的主流内存。其改进型DDR ⅡSDRAM将很可能成为下一个主流内存。为几种DRAM产品,几种DRAM产品.

存储容量的扩展,目前,尽管各种容量的存储器产品已经很丰富,且最大容量已达1 Gbit以上,用户能够比较方便地选择所需要的芯片。但是,只用单个芯片不能满足存储容量要求的情况仍然存在。个人电脑中的内存条就是一个典型的例子,它由焊在一块印制电路板上的多个芯片组成。此时,便涉及存储容量的扩展问题。

扩展存储容量的方法可以通过增加字长(位数)或字数来实现。

字长(位数)的扩展,通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位等。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实行位扩展。

位扩展可以利用芯片的并联方式实现,即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号对应地并联在一起,而各个芯片的数据输人/输出端作为字的各个位线。如图所示,用4个4K×4位RAM芯片可以扩展成4K×16位的存储系统,字数的扩展.

字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输人端来实现。例如,利用2线-4线译码器74139将4个8K×8位的RAM芯片扩展为32K×8位的存储器系统。扩展方式所示,图中,存储器扩展所

要增加的地址线我4、A与译码器的74139的输人相连,译码器的输出y2~y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。这样,当输入一个地址码(代4~14)时,只有一片RAM被选中,从而实现了字的扩展。