VI-263-IVDRAM存储单元所示的SRAM存储单元由6个MOs管构成,所用的管子数目多、功耗大,集成度受到限制,动态随机存取存储器DRAM克服了这些缺点。DRAM的存储单元由一个MOs管和一个容量较小电容器构成,

点画线框内所示。它存储数据的原理是电容器的电荷存储效应。当电容C充有电荷、呈现高电压时,相当于存有1值,反之为0值。MOs管T相当于一个开关,当行选择线为高电平时,T导通,C与位线连通,反之则断开。由于电路中存在漏电流,电容器上存储的数据(电荷)不能长久保存,因此必须定期给电容补充电荷,以免存储数据丢失,这种操作称为刷新①或再生。写操作时,行选线X为高电平,T导通,电容器C与位线B连通。同时读写控制信号WE为低电平,输入缓冲器被选通,数据D1经缓冲器和位线写人存储单元(外部输入/输出引脚上的数据经列选通电路送至D1。图中未画列选通电路)。如果D1为1,则向电容器充电,反之电容器放电。未选通的缓冲器呈高阻态。

读操作时,行选线X为高电平,T导通,电容器C与位线B连通。读写控制WE为高电平,输出缓冲器/灵敏放大器被选通,C中存储的数据通过位线和缓冲器输出D。再经列选通电路送至最终的输出引脚)。由于读出时会消耗C中的电荷,存储的数据被破坏,故每次读出后,必须及时对读出单元刷新,即此时刷新控制R也为高电平,则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。

刷新R行选线X,读/写刃百输入缓冲器,储元存单位线BDI随视存取存储器.

动态存储单元及基本操作原理,除了读、写操作可以对存储单元进行刷新外,刷新操作也可以通过只选通行选线来实现。例如,当行选线X为高电平,且WE亦为高电平时,C上的数据经T到达位线B,然后经输入缓冲器对存储单元刷新,此时的刷新是整行刷新。实际上,输出缓冲器和刷新缓冲器环路构成一正反馈,如果位线为高电平,则将位线电平拉向更高。反之则使位线电平降得更低。

由于存储单元电容的容量很小,所以在位线容性负载较大时,C中存储的电荷(C存有1时)可能还未将位线拉至高电平时便耗尽了,由此出现读出错误。为避免出现这种情况,通常在读之前先将位线电平预置为高、低电平的中间值。这样,T导通时,根据电容C存储的是0还是1,会将位线拉向低电平或高电平。位线电平的这种变化经灵敏放大器放大,可以准确得到C所存储的逻辑值。

DRAM的基本结构和操作时序,由于DRAM的集成度很高,存储容量大,因此需要较多的地址线。为减少引线数目,DRAM大都采用行、列地址分时送入的方法。例如,对于一个1M字的存储器,有22°个地址,即有20根地址线。采用行、列地址分时送人时,只需要10根地址线。DRAM的基本结构所示,其内部设有行列两个地址寄存器。行、列地址分别由行地址选通信号RAs①和列地址选通信号CAs②控制,送人各自的寄存器。此外,DRAM内部还设有刷新计数器和刷新控制及定时电路,由此可以自动产生行地址进行刷新。

行地址选通石峦地址月列地址选通C以s数据输入/输出J/o,读/写万E输出使能亏DRAM的基本结构,DRAM的操作方式比SRAM要复杂些,这里只举出几种典型操作,读/写操作.

读/写操作时,首先RAs和CAS先后变为低电平,将行和列地址分别送入相应地址寄存器。然后在读写控制信号WE作用下完成读/写操作。读操作时,输出使能0E应为低电平。操作时序如图所示。

页模式操作,所谓“页”是指同一行的所有列构成的存储单元。页模式下的读写操作与一般读写操作的差别在于不改变行地址,而只改变列地址。但行地址选择RAS必须始终保持低电平。页模式可以显著提高读写速度,其读操作时序所示。

RAs只刷新操作,该操作只刷新行地址指定行的所有存储单元,不进行任何实际的读写操作。在整个操作周期CAs要保持高电平,其时序如图所示。该操作一次只刷新一行,且需要外部地址计数器提供刷新地址。

系Row Address strobe的缩写。

系Column Address strobe的缩写。

主绝缘层绝缘损伤位置,主绝缘层标准线路施工,损伤边缘最小0.25in,空洞多层薄膜胶带末端,多层薄膜胶带,导线绝缘层损伤修理,清洁区域清洁导线损伤区域.

在导线绝缘修理胶带的每个末端大约0.25in处使用相同温度等级的扎线进行捆扎,如图6-248所示。

lin损伤边缘,第二层薄膜胶带,多层胶带末端,第一层薄膜胶带,导线束捆扎结,多层薄膜胶带末端,大约0.25in,导线绝缘层损伤修理

增压区域导线修理,从表6-17和表6-18中选择需要的绝缘拼接管和拼接管压接工具。

绝缘对接拼接管件号举例,CAU范围供应厂商最小,绝缘对接拼接管压接工具举例,压线筒号压接工具定位模块位置绝缘颜色压线筒号,件号最大有绝缘筒黄色,白色有绝缘筒,红色有绝缘筒,蓝色有绝缘筒,件号基本组件描述.