LM4852LQ在图3.1.5(a)所示MOs管的开关电路的输人端,加一个理想的脉冲波形,如图3,1,7所示。由于MOs管中栅极与衬底间电容Cgb(即数据手册中的输入电容CI)、漏极与衬底间电容Cdb、栅极与漏极电容Cgd以及导通电阻等的存在,使其在导通和闭合两种状态之间转换时,不可避免地受到电容充、放电过程的影响。输出电压v。的波形已不是和输人一样的理想脉冲,上升和下降沿都变得缓慢了9而且输出电压的变化滞后于输入电压的变化。

由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOs或CMOs电路,这在本书模拟部分已做了较详细的讨论,这里着重讨论它作为数字电路的基本单元电路―反相器的工作原理。

图3.1.8所示为CMOS反相器电路,由两只增强型MOSFET组成,其中TN为N沟道结构,TP为P沟道结构。两只MOs管的7DD栅极连在一起作为输入端;它们的漏极连在一起作为输出端。按照图中标明的电压与电流方向,vI=矽csN,t=VDsN,并设艺DN=DP=jD。为了电路能正常工作,要求电源电压/DD大于两只MOS管的开启电压的绝对%值之和,即yDD>(%N+|%P|)。

工作原理,首先,考虑两种极限情况;当钞1处于逻辑0时,相应的电压近似为0Ⅴ;而当v1处于逻辑1时,相应的电压近似为yDD。假设在两种情况下,TN为工作管,

其输出特性曲线如图3.1.5(b)所示。Tp为负载,其输出特性曲线如图3.1.9所示。对于TP管osDP=%D-V。,为了便于分析,将图3.1.9(a)中的横坐标变换为v。(=yDD-vsDP),则得到图3.1.9(b)。图3.1.9 P沟道MOS管输出特性曲线(a)以″sDP为横轴的输出特性曲线 (b)以v。为横轴的输出特性曲线.