LA5112N电子电路按功能分为模拟电路和数字电路。根据电路的结构特点及其对输人信号响应规则的不同,数字电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路。数字电路中的电子器件,例如二极管、三极管(BJT、FET)处于开关状态,时而导通,时而截止,构成电子开关。这些电子开关是组成逻辑门电路的基本器件。逻辑门电路又是数字电路的基本单元。如果将这些门电路集成在一片半导体芯片上就构成数字集成电路。

数字电路主流形式是数字集成电路。从20世纪60年代开始,数字集成器件以双极型工艺制成了小规模逻辑器件,随后发展到中规模;70年代末,微处理器的出现,使数字集成电路的性能发生了质的飞跃;从80年代中期开始,专用集成电路(ASIC①)制作技术已趋成熟,标志着数字集成电路发展到了新的阶段。ASIC是将一个复杂的数字系统制作在一块半导体芯片上,构成体积小、重量轻、功耗低、速度高、成本低且具有保密性的系统级芯片。

ASIC是将一个复杂的数字系统制作在一块半导体芯片上 ,构成体积小 、 重量轻 、功耗低 、速度高 、成本低且具有保密性的系统级芯片。ASIC芯片的制作可以采用全定制或半定制的方法 。全定制适用于生产批量的成熟产品 ,由半导体生产厂家制造 。对于生产批量小或研究试制阶段 的产品 ,可以采用半定制方法 。它是用户通过软件编程 ,将自己设计的数字系统制作在厂家生产的可编程逻辑器件(PLD② )半 成品芯片上 ,便得到所需的系统级芯片。 从集成度来说 ,数字集成电路可分为小规模 (ssI)、 中规模 (MSI)、 大规模 (LSI)、 超大规模 (VLSI)和甚大规模(ULSI)五类 。所谓集成度 ,是指每一芯片所包含的门的个数 。表 1.1.1所示为数字集成 电路的分类 。

数字电路的发展不仅在集成度方面,而且在半导体器件的材料、结构和生产工艺上均有所体现。数字集成器件所用的材料以硅材料为主,在高速电路申,也使用化合物半导体材料,例如砷化镓等。

逻辑门是数字集成电路的主要单元电路,按照结构和工艺分为双极型、MOs型和双极一MOs型。晶体管一晶体管逻辑门电路(TTL①)问世较早,其工艺经过不断改进,是至今仍在使用的基本逻辑器件之一。随着金属一氧化物一半导体(MOs)工艺特别是CMOs②工艺的发展,使得集成电路具有很高的电路集成度和工作速度,并且功耗很低,因此TTL的主导地位已被CMOs器件所取代。