在第一种情况下,传感器检测位置包含一对电绝缘的贵金属电极,通过两个电极之间的隔离层实现电绝缘,这也是示踪分子固定的位置。在沉淀析出阶段,电极之间的导电银层形成,导致欧姆接触电阻大幅减少几个数量级。如之前所强 调,匹配和失配的检测识别需要考虑这个参数随时间变化的具体变化行为。文献中报告的测量结果采用了最长一个小时的银富集加强时间,就更容易实现更精确的时间辨别。在第二种情况下,使用了电解质覆盖的相邻或叉指交叠式电极。随着银沉淀在电介质的界面形成金属层,与其他电极-电解质界面或者没有银层的功能化区域相比,这个界面提供了其他额外的电学参数,包括交流参数,例如:阻抗变化或其他射频参数等,可以据此进行相关评估。

   LL103C

   在采用光学或准光学技术时,整个芯片被照射,光透过敏感活跃区域的光透过率由于银层的形成而减少。为了达到这个目的,采用了完全光学装置以及基于光敏二极管的CMOS芯片(类似于标准CMOS成像芯片)。另一个基于标记的技术使用磁珠作为靶分子的标记[41,42]。在这种情况下,传感器检测点必须提供一种电学参数可随磁性材料出现而发生变化的器件。最近,集成GMR传感器的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片得到示范验证,其采用电阻读出方式[42]。

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