基于标记方法
发布时间:2019/4/30 20:27:04 访问次数:733
基于标记方法
使用金纳米颗粒标记靶分子的想法已经大量出版报道,同时使用在杂交反应后银沉淀析出的工艺步骤[3:4°]。基本思想如图6,⒛所示,杂交化阶段过后(如图6,⒛a所示),银大量附着在样品上。出现在双链DNA位置的金粒子作为银簇集的种子层使其在这些位置开始生长(如图6.⒛b所示)。经过进一步沉淀,在相关位置形成致密的银毯(如图6,⒛c所示)。然而,随着这个银毯将进一步扩展并最终也覆盖或较少数量或没有双链DNA分子的位置,所有基于这种技术的检测均需要考虑所选择用以探测银层扩展的特征参数随着时间的发展变化规律。
为了测量银毯在所关注区域的扩展,提出了各种各样的探测技术:
1)绝缘层隔离的电极间电导率测量[3:]
2)隔离电极间的交流参数测量[39]。
3)光学衰减(通过CMOS成像芯片探测或完全纯光学装置)[40]。
基于标记方法
使用金纳米颗粒标记靶分子的想法已经大量出版报道,同时使用在杂交反应后银沉淀析出的工艺步骤[3:4°]。基本思想如图6,⒛所示,杂交化阶段过后(如图6,⒛a所示),银大量附着在样品上。出现在双链DNA位置的金粒子作为银簇集的种子层使其在这些位置开始生长(如图6.⒛b所示)。经过进一步沉淀,在相关位置形成致密的银毯(如图6,⒛c所示)。然而,随着这个银毯将进一步扩展并最终也覆盖或较少数量或没有双链DNA分子的位置,所有基于这种技术的检测均需要考虑所选择用以探测银层扩展的特征参数随着时间的发展变化规律。
为了测量银毯在所关注区域的扩展,提出了各种各样的探测技术:
1)绝缘层隔离的电极间电导率测量[3:]
2)隔离电极间的交流参数测量[39]。
3)光学衰减(通过CMOS成像芯片探测或完全纯光学装置)[40]。