这里讲的沉积膜,是指炉管和化学气相沉积(CVD)方法根据制程要求所生长的膜。在A276308AL-70膜沉积前后,需要对晶片表面进行清洗,以避免污染在制程间传递和恶化,特别是制程推进到65nn1以下,这种清洗尤其重要。膜层沉积前,晶片保存在无尘室的晶片盒里,但无尘室有等级之分,即便等级1的无尘室,也免不了环境中有机物气体和微小颗粒的影响,再加上上道制程渚如离子、分子、颗粒等带下来的污染。有机物覆盖的地方会影响膜层的正常生κ;细小颗粒会随着膜层生长,成为大的颗粒或使膜层突起;金属离子则在高温下,在膜层中扩散,对膜层的电阻率、隔离等品质造成影响。因此这些有害因子,在膜层沉积前,必须加以去除。沉积后的膜,如果表面有颗粒存在,后道若是刻蚀,会阻挡刻蚀的深入进行;若是曝光,会影响图案形态;若是化学机械研磨,会造成膜层刮伤等;冈此,对膜层沉积后的晶片,需尽可能地清除可能的污染c常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美国广播公司)的Kern和Puotincn于1970年发布,一直沿用至今。其特点有两步:①标准清洗液1(SC1)清洗,是氨水、双氧水和水的混合物,主要去除有机物膜污染、金属(如金Au,银Ag,铜Cu,镍Ni,镉Cd,汞Hg等)、颗粒。②标准清洗液2(SC2)清洗,是盐酸、双氧水和水的混合物,功能是去除无机物、一些碱金属和重金属:l1。

   虽然RCA清洗很有效,但由于新制程的特殊需求,还需加入新的内容和不同处理组合,以达成不同的需求。常用的有序组合有:①单独使用RCA清洗;②硫酸双氧水混合物(SPM)~)稀释氢氟酸(DHF)―>RCA清洗;③硫酸双氧水混合物(SPM)―)RCA清洗等。详解如下:

   (1)有机物污染的去除(SPM):普遍使用的去除剂是sPM(98%H2s01和31%H'02的混合物),也叫Piranha dean,比例(2~8):l,温度120~280℃.对有机物一般有很强的去除能力。由于SPM黏度较大,冷水冲洗效率低,处理后常用热水(60~80℃)冲洗。

   (2)氧化硅膜去除(稀HF):多用于硅晶片清洗。制程第一步SPM去除有机物后,晶片由于高温sPM的强氧化作用,表面会生成一层氧化膜;第二步氧化硅膜去除起初使用高浓度HF去除,如HF:H20比例为1:10、卜50或1:100。现今普遍使用更稀的HF,如HF:H20比例为1:200、卜300或1:1000以上。溶液温度为室温。