考虑到后续的问隙填充,在孔与沟槽的应用中,纯粹的各向异性刻蚀出的形状是不能接受的。 HA17384HPS艺中希望得到大于85°角有轻微锥形的形状,倒锥型形状除了SiGeェ艺外很少用到:浅槽隔离巾沟槽顶部圆弧结构对减少器件漏电是有好处的。双斜坡的结构是由于两个刻蚀步骤间非平滑的过渡造成的。微沟槽结构是源于在沟槽底刻蚀离子从侧墙反射和侧墙的阴影效应之间的协同效应。对停止层的高选择比会产生底部缺口,这可能会对后续阻挡种子层△艺提出挑战。密集间隔处离子的折射或者低虑材料损伤会导致孔或者沟槽出现圆弧形的形状。在后端△艺中,圆弧形的形状倾向于更坏的TDDB(与时问相关的介质击穿)特性。在通孔双大马士革△艺的沟槽刻蚀过程中,在通孔周围产生的围栏和刻面是两个典型的不利结构。它们会在铜金属化过程中带来问题,并最终导致器件失效。如果将填充材料的回刻时间增加,通孔口~L的围栏有可能减小。最终围栏和刻面的特性在很大程度取决于填充材料的回刻与沟槽主刻蚀的组合。通常在实际制作工艺中,轻微的围栏是可以接受的。

   虽然半导体晶圆的尺寸从途in增加到了12in,今天所用的制造微电子器件的干法刻蚀I艺的开发在很大程度上还是大量耗费时间和金钱的实验探索。部分原因是由于腔室尺寸的增大、紧密交织在一起的各种△艺材料以及苛刻的工艺要求,造成了众所周知的I艺开发的复杂性。研发人员在设计大尺寸干法刻蚀机时,如果没有深刻地理解刻蚀过程中的基础物理化学反应,就不可避免地要耗费大量的金钱与时间。等离子表面相互作用的基础研究,无沦是实验的还是数值的,在工艺和刻蚀反应器的开发过程中都起到了关键作用,为限制巨大的△艺变量空间提供了重要见解。简而言之,干法刻蚀建模是减小昂贵实验负担,加快大尺寸刻蚀反应器开发的必要方式。