规则的制定依赖于对一组定标图形的精确测定
发布时间:2019/1/30 16:59:35 访问次数:757
学邻近效应修正指的是在掩膜版L对于由衍射导致的曝光线宽偏差进行修正,这里只做简单介绍。JG82870P2 SL8AM光学邻近效应修正分为基于规则的修正和基于模型的修正。基于规则的修正(Rulc Based Optical Proximity Correction,RBOPC)是指建立一套与图形周边情况有关的规则,使得在规则满是的情况下,按照规则定义的要求对图形进行修正。例如,可以有这样的规则:当100nm的线条的某一边界距离下一个图形的边界的距离大于等于500nm,此边界往外移动10nm。
规则的制定依赖于对一组定标图形的精确测定。一维的定标图形大多是一张线宽与槽宽的矩阵。对于任意的线宽与槽宽组合,基于对测试掩膜版上的定标图形在硅片上光刻胶投影图形的测定,并且根据实际测量的尺寸与理想的尺寸之间的差值来决定修正量多少。对于二维的图形,也可以建立一些定标图形,并且通过实验的测定来制定出修正量,这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:线宽为100nm,它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大槽宽的地方:90nmc冉看第二列:槽宽为100nm,它随着线宽的增加而减小(表中列出的现款数据.槽宽=L+S一线宽),到达一定的线宽(如300nm),槽便不能够被分辨(Mcrge)。但是,随着槽宽变宽,第工、四、五列,槽Merge的情况逐渐好转。所以我们不禁要问?为什么线与槽不对等?这是闪为:
(1)光刻胶偏向线,也就是光刻胶是为孤立以及半孤立的线条优化的。
(2)系统使用了透射衰减掩膜版,它对线条的对比度增加有很大帮助,不过,相移层的存在对相对孤立的槽的I艺窗口有很大损伤。
(3)掩膜版上使用了正向的线宽偏置,使得系统需要有一点过度曝光来充分发挥偏向线的光刻胶的性能,而槽的光刻胶通常喜欢曝光不足。那么,有没有对线、槽都平等对待的光刻胶?回答是:理论上能够,但是实际屮很难制造。比如,对线的光刻胶,对光线不能做得太灵敏,否则,孤立的线条就会被过度曝光而大大缩小线宽,甚至发生图形倒塌。如果曝光不过度,会使得在光刻胶边缘产生残留;同理,对槽的光刻胶必须做得很灵敏,否则对于孤立的槽或者接触孔,无法形成足够的曝光,造成图形打不开。
学邻近效应修正指的是在掩膜版L对于由衍射导致的曝光线宽偏差进行修正,这里只做简单介绍。JG82870P2 SL8AM光学邻近效应修正分为基于规则的修正和基于模型的修正。基于规则的修正(Rulc Based Optical Proximity Correction,RBOPC)是指建立一套与图形周边情况有关的规则,使得在规则满是的情况下,按照规则定义的要求对图形进行修正。例如,可以有这样的规则:当100nm的线条的某一边界距离下一个图形的边界的距离大于等于500nm,此边界往外移动10nm。
规则的制定依赖于对一组定标图形的精确测定。一维的定标图形大多是一张线宽与槽宽的矩阵。对于任意的线宽与槽宽组合,基于对测试掩膜版上的定标图形在硅片上光刻胶投影图形的测定,并且根据实际测量的尺寸与理想的尺寸之间的差值来决定修正量多少。对于二维的图形,也可以建立一些定标图形,并且通过实验的测定来制定出修正量,这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:线宽为100nm,它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大槽宽的地方:90nmc冉看第二列:槽宽为100nm,它随着线宽的增加而减小(表中列出的现款数据.槽宽=L+S一线宽),到达一定的线宽(如300nm),槽便不能够被分辨(Mcrge)。但是,随着槽宽变宽,第工、四、五列,槽Merge的情况逐渐好转。所以我们不禁要问?为什么线与槽不对等?这是闪为:
(1)光刻胶偏向线,也就是光刻胶是为孤立以及半孤立的线条优化的。
(2)系统使用了透射衰减掩膜版,它对线条的对比度增加有很大帮助,不过,相移层的存在对相对孤立的槽的I艺窗口有很大损伤。
(3)掩膜版上使用了正向的线宽偏置,使得系统需要有一点过度曝光来充分发挥偏向线的光刻胶的性能,而槽的光刻胶通常喜欢曝光不足。那么,有没有对线、槽都平等对待的光刻胶?回答是:理论上能够,但是实际屮很难制造。比如,对线的光刻胶,对光线不能做得太灵敏,否则,孤立的线条就会被过度曝光而大大缩小线宽,甚至发生图形倒塌。如果曝光不过度,会使得在光刻胶边缘产生残留;同理,对槽的光刻胶必须做得很灵敏,否则对于孤立的槽或者接触孔,无法形成足够的曝光,造成图形打不开。
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