但是目前已经被改良的193nm技术和193nm浸人式光刻技术所替代。这M24C08-WBN6P可以归功于分辨率技术的提高,尤其是浸人式光刻技术在45nm技术节点上的应用。浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满,由于液体的折射指数比空气高,因此可以增加投影棱镜数值孔径(NA)。以超纯水为例,其折射指数为1。狃,相当于将193nm波长缩短到134nm,从而提高了分辨率。基于193nm浸人式光刻技术在⒛O4年取得了长足进展,并成功地使用在45nm技术节点中。193nm浸人式光刻技术原理清晰,构成方法可行并且投入小,配合旧有的光刻技术变动不大,节省设各制造商以及制程采用者大量研发及导入成本,因此157nm光源干式光刻技术被193nm浸人式光刻所替代。

   为了能在下一个技术节点上获得领先,下一代的光刻技术正在研发当中,如远紫外光光刻(EUV)、电子束投影光刻、离子束投影光刻、X射线光刻和纳米印制光刻等。

   但是在32nm技术节点上,两次图形技术(double patterning)从工艺整合的角度出发,\能够采用多种工艺整合途径,沿用193nm浸入式光刻技术,满足32nm技术节点上的工艺需求L11。除此之外,两次曝光技术(double cxposure)也在研究当中。结合两次图形曝光或者两次曝光技术,193nm沉浸式光刻技术有可能向下扩展到”nm节点。

   是现代CMC)S器件剖面的示意图。一般来说,水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大,这将导致沟槽(包含接触孔)的深宽比(aspect mtio)也随之提高,为避免沟 槽填充过程中产生空穴(void),沟槽的填充△艺技术也不断发展。从图中可见,集成电路芯片的制造过程中包含很多种填充技术上的挑战,包括浅沟槽隔离、接触孔和沟槽。根据填充材料的不同,填充工艺主要分为绝缘介质的填充技术和导电材料的填充技术。

   在大于0.8um的间隙中填充绝缘介质时,普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD);然而对于小于0.8um的间隙,用单步PECVD工

艺填充问隙时会在其中部产生空穴。PECVD技 术加上沉积亥刂蚀一沉积工艺被用以填充0.5~0,8um的间隙,也就是说,在初始沉积完成部分填孔尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙人口,之后再次沉积以完成对整个间隙的填充[5]。高密度等离子(High Density Plasn1a,HDP)化学气相沉积技术△艺在同一个反应腔(chamber)中原位地进行沉积和刻蚀的工艺,通过控制间隙的拐角处沉积刻蚀比(depositionctch ratio),使得净沉积速率接近零,从而提高其填充能力。该技术能够适应深宽比在6:1左右的需求,并满足90nm技术节点的需求。