半导体技术遵循摩尔定律飞速发展着,随之而来的是手机功能越来越复杂,从最开G5244A31U始的功能性手机,到现在的智慧型手机;手机已深深融入到人们的日常生活当中,成为人们利用率最高的电子产品c一方面由于手机芯片的集成度越来越高,导致芯片更加脆弱,承受外界干扰的能力变弱,另一方面人们使用手机的时间也越来越长,导致手机充电次数随之增加,加上市面上参差不齐的充电器及不稳定电网的影响,这些囚素的叠加,最终导致手机的各种损坏返修,而这些返修问题中,充电IC和PMIC占得比例最大。应对充电IC和PMIC返修过高的问题,日前各大手机厂商纷纷提高EOS(Elec“cal Orr Stress,电气过应力)测试标准,提升抗EOS性能c

   目前品牌手机客户大多采用EOS300Ⅴ测试标准,该测试采用IEC610OO-4-5标准混合波波形,其测试内阻为2Ω,这就要求手机的电池端口采用图4.99所示的防护电路原理,并且TⅤs必须至少具有140A的脉冲峰值电流(IPP)通流能力,才有机会通过此测试c图4∞中,虚框内的元器件可以采用大通流、低残压的TⅤS管(单向或双向)。为比较各种方案的区别,特进行如下测试试验:

   首先选用了一个SOD323的TⅤs管(此封装较大,用在手机上较为勉强,此处只做验证测试用),查看产品规格书得知,IPP在I30A时残压为22.7Ⅴ。经过测试其在正浪涌电压和负浪涌电压时的残压见图4,100(图4,101）.