增加某型兮TⅤS后,PMIC依然损坏
发布时间:2019/1/8 20:56:47 访问次数:538
测试结束后,验证手机的功能,分析得知,虽然此TⅤS可以满足140
最终使PMIC损坏(见图4.102)。增加某型兮TⅤS后,PMIC依然损坏 G5520AR41U
发现手机不能开机,原囚是PMIC已损坏,无输出。经A的通流量,但是其残压太高,导致PMIC无法承受, 随后选用另一个TⅤS管,此TⅤS是DFN1610封装,其规格书显示残压较低(在100A时典型值9,6Ⅴ)。上板正向浪涌测试完后l。T以正常开机,负向测试后发现不能开机,经检测,同样是因为PM£损坏无输出电压。分析发现,因为此TⅤS是双向的TⅤS,其负向残压比较高,而目前PM£芯片对负压尤为敏感,所以PM1C在面对负向浪涌时,需要更低的残压才能提供有效防护。其±1绷A时残压分别如图4.103、图4,104所示。
测试结束后,验证手机的功能,分析得知,虽然此TⅤS可以满足140
最终使PMIC损坏(见图4.102)。增加某型兮TⅤS后,PMIC依然损坏 G5520AR41U
发现手机不能开机,原囚是PMIC已损坏,无输出。经A的通流量,但是其残压太高,导致PMIC无法承受, 随后选用另一个TⅤS管,此TⅤS是DFN1610封装,其规格书显示残压较低(在100A时典型值9,6Ⅴ)。上板正向浪涌测试完后l。T以正常开机,负向测试后发现不能开机,经检测,同样是因为PM£损坏无输出电压。分析发现,因为此TⅤS是双向的TⅤS,其负向残压比较高,而目前PM£芯片对负压尤为敏感,所以PM1C在面对负向浪涌时,需要更低的残压才能提供有效防护。其±1绷A时残压分别如图4.103、图4,104所示。
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