晶圆加工的滞留时间约束
发布时间:2017/11/24 21:29:28 访问次数:717
在晶圆加工过程中,为了保AAT3215IJS-2.9-T1证晶圆的质量,晶圆在加工模块中的停留时间必须限制在规定的时间范围内,这一要求称为晶圆加工的滞留时间约束(Rcsidency △meCollstraints)。例如,低压化学淀积I艺要求在真空度025~⒛toⅡ和高温550~800℃的条件下对加工腔内的晶圆镀膜,其镀膜材料为氮、氧、硅外延和多晶硅。晶圆加工结束后,其在加工模块内的停留时间不能超过⒛s,否则,晶圆表面会被高温破坏,甚至造成晶圆破损[10’11]。严格的滞留时问约束可能导致不存在可行调度,因此集束型装备调度问题研究的一个方向是可调度性。
在晶圆加工过程中,为了保AAT3215IJS-2.9-T1证晶圆的质量,晶圆在加工模块中的停留时间必须限制在规定的时间范围内,这一要求称为晶圆加工的滞留时间约束(Rcsidency △meCollstraints)。例如,低压化学淀积I艺要求在真空度025~⒛toⅡ和高温550~800℃的条件下对加工腔内的晶圆镀膜,其镀膜材料为氮、氧、硅外延和多晶硅。晶圆加工结束后,其在加工模块内的停留时间不能超过⒛s,否则,晶圆表面会被高温破坏,甚至造成晶圆破损[10’11]。严格的滞留时问约束可能导致不存在可行调度,因此集束型装备调度问题研究的一个方向是可调度性。
上一篇：集束型晶圆制造装备的高度复杂性
上一篇：非零初始状态和死锁
相关技术资料- 11-24晶圆加工的滞留时间约束
- 10-9每个轨道容纳的电子数量是有限的
公网安备44030402000607
