制造晶圆的第一步是在晶圆上淀积一层不导电的二氧化硅薄膜。在晶圆的A6E-8101后续制作过程中,二氧化硅层的成长、淀积会进行很多次。二氧化硅薄膜成型的技术主要可分为物理气相淀积(Physical、即0r Dcposition,PVD)与化学气相淀积(Chcmical VaporDepo峦ioll,CVD)。物理气相淀积技术是对欲沉积薄膜的材料源施加热能或动能,使之分解为原子或原子的集合体,并在晶圆表面结合或凝聚形成薄膜。物理气相淀积技术分为电阻加热蒸镀法、电子枪蒸镀法和溅镀法三类。化学气相淀积则是将反应气体导入高温炉,用气态的化学原料在晶圆表面产生某种化学作用,并在晶圆表面淀积一层薄膜。如图⒈5所示是一套实现CVD I艺的集束型装各。