做储存器故障分析时会将失效位元标记在储存阵列上,称为位元图(Bit Map)。TDA10023HT

   储存器故障模型以及故障原囚包含以下数种。

   单位元(single bit,sB):位元接触点不良,晶体管漏电,介电层击穿等。

   双位元:两相邻位元有短路或漏电串扰。

   丛位元(cluster bits):由大的particlc,光刻缺陷造成。

   单行/单列(single row/column):字元线/位元线(word/bit line)有漏电性的缺陷。

   双行/双列(two rc,w∵column):两相邻字元线Ⅱ位元线短路或金属字元线接触点不良。