在芯片的隹产流程中,一般需要经过多道测试,如圆片测试、老化测试、封装后测试TC74VHC244F、质检测试等。}产测试(producti°n tcst)侧重好坏分类、性能分级、成本控制、质董提升,依照芯片实际好坏以及测试好坏,叮以有以下四种结果:

   (l)芯片好.测试好:测试结果正确,此即产品良率。

   (2)芯片坏,测试坏:测试结果正确.称不良率。

   (3)芯片好,测试坏;测试结果不正确,此即产品的良率损失,称为误杀(ovcr kiII)。

    芯片坏,测试好:测试结果不l卜确.此即产品质量损失,称为误放ndcr kill3.失效分析测试对于被测试判定失效、客∫、’退返或冖r靠性不良的、占片.必须进行失效分析测试。以类失效原丨矧皂性能退化、缺陷、电过载(Elcctrical()ver S1ress.E()s)、静电损伤(Elcctro`tatic Danlagc。ESI丿Ⅱ或其他/赶效分折测试的电性结果将会提供给物理失效分析作参考和依据。

   电参数测试(parametric test)

   分为汽流参数(I)C pammc1ers)和交流参数(AC paran1etcrs)。直流参数测试有开∷短路测试.漏电流测试.电源电压/电流测试;交流参数包括频率,上升/下降时间(rise/falltime).设定维持时问(sctup/hold timc)等。