溢流冲洗:晶片放进满水槽底部的晶片架上,如图9.24所示,去离

子水从底部供人, W1RF250水流经过晶片,并逐渐⒈移,而后越过晶片,再后来溢出水槽内缘,而流到外槽,进人排出系统,同时清洗并带走晶片上的药液和残留物,持续不断流动、冲洗,最终达 到清洁晶片的日的。如果配置N2鼓泡,会增强清洗效果和改善清洗能力。

   快速倾倒冲洗(Quick Dump Rinse,QDR):快速倾倒冲洗类似溢流冲洗,不同之处是在水槽顶部两侧各装一排喷头,且槽的底部可自由打开,如图9.25所示。开始晶片放进空的水槽,水槽上的喷头启动喷淋,晶片上的药液被快速冲掉,同时水槽底部的水管注入去离子水,当槽注满后,槽底瞬问打开,清洗水流入排水管,如此反复几次,晶片得到彻底清洗。