前面提到了接近式曝光的分辨率随掩膜版与硅片之间的距离增大而迅速变差。在投影XC1765ELVO8C式曝光方式中,光学分辨率由下式决定,其中,虑1代表一个表征光刻工艺难易程度的正比系数,一般来讲,虑10,25~1.0之间。这其实就是著名的瑞利(Rayleigh)公式。根据此公式,光学分辨率由波长、数值孔径以及工艺相关的乃l决定。如果需要印制更加小的图形,所用的方式可以是同时缩小曝光波长,增加数值孔径,减小屁1值,或者变化其中一个要素。在这一节中,我们将先介绍已有的通过减小波长和增加数值孔径来提高分辨率的成果。有关如何在固定波长和数值孔径的前提下,通过减小尼l因子来提高分辨率的方法,将在后面讨论。

   尽管短波长可以成就高分辨率,其他几个与光源的重要的参数也是必须考虑的,如发光强度(亮度)、频率带宽、相干性(有关相干性将在后面详述)。经过全面筛选,高压汞灯因其 亮度和拥有许多尖锐谱线而被选作可靠的光源。不同的曝光波长可以通过使用不同波长的滤光片来选择。能够选择单一波长的光,对光刻至关重要,因为一般的步进机对于非单色光会产生色差而导致成像质量的下降。业界所用的G线、H线和I线分别指曝光机使用的436nm、405nm和365nm的汞灯谱线(见图7.4)。