刻蚀过程是多步deΓetch的关键步骤,刻蚀过程通过与NF3的反应去除掉Si02,由于NF3在沟槽不同部位的入射角不同,可以实现顶部刻蚀较多从而可以修整部分填充后的沟槽的形状得到更容易填充的沟槽结构。K4B4G1646B-HCKO刻蚀过程所采用的载气为H2,载气的分子量越小,可以尽量减少物理轰击的效果。另外刻蚀的对称性对最后的完全填充非常重要,尤其在品片边缘,由于F rradical的方向性,这种不对称性就更加严重,可以通过调节压力、N凡气体流量、衬底偏压大小以及刻蚀化学物质来对对称性进行优化。刻蚀的量必须进行非常好的控制。对于特定的沟槽结构,要进行沉积和刻蚀量的优化,尽可能达到填充、沉积速率以及刻蚀Window的平衡。

   另外为了尽可能降低薄膜中由于NF3刻蚀而引人的「。刻蚀结束后,引人Ar/o2/He/H2等离子体处理可以去除薄膜中所残留的F,通过调整等离子体处理的时间和功率大小可以 化等离子体处理工艺,将薄膜中的F含量降低到0,07at.%[2]。多步沉积亥刂蚀填满沟槽后,进一步沉积一层高温的Sio2薄膜,作用有二,进一步去除薄膜中残留的F以及提高薄膜的质量。