自1984年日本东芝公司提出快速闪存存储器的概念以来,平面闪存技术经历了长达30年的快速发展时期。一方面,为了降低成本,存储单元的尺寸持续缩小。TA48033F但随着闪存技 术进入1Jnm技术节点,闪存单元的耐久性和数据保持特性急剧退化,存储单元之间的耦合不断增大,△艺稳定性和良率控制问题一直无法得到有效解决,从而从技术上限制了闪存单元的进一步按比例缩小。另一方面,代替传统的浮栅闪存存储器,通过按比例缩小的方式实现高密度集成,寻找更高密度阵列架构的努力从未停止,三维存储器的概念应运而生。

   ⒛01年,Tohoku大学的T.Endoh等人在IEDM上首先报道了基于多晶硅浮栅存储层的堆叠环形栅的闪存概念[54],⒛06年,韩国二星电子公司的S,M。Jung在IEDM上报道了基于电荷俘获存储概念的双层闪存阵列的堆叠结构[55]。但直到2007年日本东芝公司的H,Tanaka在VI's1会议上报道了BiCs(Bit Cost⒌alable)NAND闪存结构[361,三维存储器的研发真正成为各大存储器公司和科研院所的重要研发方向。之后韩国二星电子公司先后提出了TCAT(Terabit Cdl Array Transistor)L57J、VsAT(Vertica卜Stacke山ArrarTransistor)「3:]和VG NAND(Vertical Gate NAND)结构[59],日本东芝公司提出了P BiCS

(Pipe BiCS)结构「Ⅱl,韩国海力士半导体公司提出了STArT结构ˉ。l],台湾旺宏公司也提出了白己的VG NAND结构「621,这些结构均采用了电荷俘获存储(charge trapping)的概念;美国美光公司和韩国海力士公司也提出了基于多晶硅浮栅存储层的二维存储器结构。各研

究机构与公司开发的不同架构△维存储器如图3,3O所示。