热丝化学气相淀积(Hot Ⅶre CVD,F叩为0)是一种新近发展起来的CV「l薄膜制备方法。它采PIC12F752用高温热丝分解前驱气体,通过调节前驱气体组分配比和热丝温度而获得大面积的高质量淀积薄膜。例如,用⒏H4(H2)制备HWCⅥ)多晶硅薄膜。用钨丝作为热丝,热丝温度为18∞℃,衬底温度为250℃,淀积室真空度为42Pa,衬底与热丝距离为48mm。⒊H4在热丝处分解为游离态的Sl和H,s被衬底吸附生成多晶硅,两个H生成H2离开。

    HWCX/△D方法具有设各简单、淀积温度低、不引人等离子体等优点。

   激光诱导化学气相淀积

   激光诱导化学气相淀积(I'aser CVD,LCVD)是将激光应用于常规Cˇ0的一种新技术。通过激光活化反应剂气体使化学反应能在较低温度下进行,即激光能转化为化学能,在这个意义上LC`0类似于PEC`①。

   LC0方法是用激光束照射淀积室内的反应剂气体,激发并维持化学反应发生,固态生成物淀积在衬底上生成薄膜。LCX/D的最大优点是不直接加热衬底,空问选择性好,甚至可以使薄膜生长限制在衬底的任意微区内,进行选择淀积,而且淀积速率也较快。