传统的CM()S器件随着特征尺寸逐步缩小,越来越显现出局限性。研究人员正在积极寻找新的替代器件产品,R1EX24128BSAS0G以便在更小的技术节点中超越体硅CMC)S技术。ITRS中提出的非传统CMOS器件,有超薄体SC)I、能带工程晶体管、垂直晶体管、双栅晶体管、FinFET等。而未来有望被广泛应用的新兴存储器器件,主要有磁性存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM)、纳米存储器(NRAM)、分子存储器(molccular mem°ry)等。新兴的逻辑器件则主要包括了谐振隧道二极管、单电子晶体管器件、快速单通量量子逻辑器件、量子单元自动控制器件、纳米管器件、分子器件等。

   在未来各种集成电路新器件中,大量纳米技术将得到应用,除了在存储器和逻辑器件中作为晶体管的主要材料,某些形态的碳纳米管可在晶体管中取代硅来控制电子流,并且碳纳米管也可取代铜作为互连材料。因此,集成电路制造工艺技术也将迎来新的变革。