⒛世纪⒛年代的成熟应用期。J1011F21PNL到1980年以后,由于国产晶闸管制造工艺的长足进步及技术引进,其可靠性获得了很大的进步,因而中频电源逐步从实验室进人了工业生产实际应用中。这一时期的晶问管中频电源逆变桥已逐步从多只快速晶闸管串联向单只晶闸管过渡,但输出工作频率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要获得4kHz或8kHz的输出频率仍不得不使用倍频等复杂控制技术。

   这一时期晶间管中频电源的启动方案多为带有专门充电环节的撞击式启动方案,且控制板为多块小控制板构成的插件箱式结构。整个控制系统通常由12块控制板构成(6块整流触发板、2块逆变脉冲板、1块正电源板、1块负电源板、1块保护板、1块调节板),在这一时期快速晶间管国产水平关断时间最快为35灬,而阻断电压最高不超过1600Ⅴ,平均电流最大为500A,由此决定了对功率容量超过350kW的感应加热采用中频电源时不得不采用多只快速晶问管并联的方案。

   80年代初,人们将现代半导体微集成加工技术与功率半导体技术进行结合,相继开发出一大批全控电力电子半导体器件(GTR、M0ⅢET、sIT、SITH及MCT等),为全固态超音频、高频电源的研制打下了坚实的基础。