溅射(跏utte0现象是1852年在气体辉光放电中第一次观察到的,在20世纪20年代,I~allgm⒍r将其发展成为一种薄膜淀积技术。溅射工艺就是利用气体反常辉光放电时气体等离子化产生的离子对阴极靶轰击, L7805CV导致靶原子等颗粒物飞溅出来落到衬底表面,进而形成薄膜的一种h①薄膜制备工艺。

  工艺原理

   溅射工艺原理较为复杂,影响薄膜淀积的因素很多。从机理上分析,可以将整个溅射分解为4个过程进行讨论:等离子体产生过程、离子轰击靶过程、靶原子气相输运过程及淀积成膜过程。

   等离子体产生过程

   等离子体产生过程是指在一定真空度的气体中通过电极加载电场,气体被击穿形成等离子体,出现辉光放电现象,即有气体原子(或分子)被离子化的过程。在第7章的7,3.3节中已详细介绍了等离子体的产生过程。

   传统的直流平行板式溅射装置中都是将靶安装在阴极板上,而衬底放置在阳极板上,如图⒏1(bl所示。溅射工艺就是使等离子体中的离子轰击靶,溅射出的靶原子飞落到衬底上,从而淀积形成薄膜。 因此,离子浓度的高低直接关系到薄膜淀积速率的快慢。为此,大多数溅射工艺中真空室内气体压力都较高,通常控制在1~100h之间。而离子是自由电子碰撞气体原子(或分子)日寸,转移能量高于电离能从而离化成离子的。不同气体的电离能不同,表⒏2给出了一些常用气体的第一与第二电离能。